进入或落在硅片表面,在氧化过程中,污染 物在表面形成新的氧化层,是污染物远离了电 子活性的硅表面。也就是说污 染物被禁锢在二氧化硅 膜中,从而减小了污染 物对器件的影响 7.1.2掺杂阻挡层 器件制造过程中的掺杂是定域(有选择的 区域)掺杂,那么不需要 掺杂的区域就必须进彳 保护而不被掺杂。如图进入或落在硅片表面，在氧化过程中， 污染 物在表面形成新的氧化层，是污染物远离了电 子活性的硅表面。也就是说污 染物被禁锢在二氧化硅 膜中，从而减小了污染 物对器件的影响。 7.1.2 掺杂阻挡层 器件制造过程中的掺杂是定域（有选择的 区域）掺杂，那么不需要 掺杂的区域就必须进行 保护而不被掺杂。如图 所示