AUGs BUGD CUps 22.当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管b的数学表达式为： Aip=Ipssetos Bn=lns（(us-4ps)月 c-a- 23.增强型场效应管导通的的必要条件是 oal os=p Ckoslo 24,某场效应管的s=3mA,bo=8mA,b的方向是从漏极流出，则该管为 A耗尽型PMOS B耗尽型NMOS C增强型PMOS 25.与双极型晶体管比较，场效应管 A输入电阻小B制作工艺复杂C放大能力弱 26,P沟道增强型M0S管工作在恒流区的条件是 AUas<U om)Uos 2Uos-Uooh B Uas<Uoscm)UpsUas-U osm) cUs>Uce,Us之Us-Uce UGS UGD UDS 22.当场效应管工作于放大区时，耗尽型场效应管 ID 的数学表达式为：_ 23.增强型场效应管导通的的必要条件是_ 24 ．某场效应管的 IDS=3mA，IDQ=8mA， ID 的方向是从漏极流出，则该管为 _ 耗尽型 PMOS 耗尽型 NMOS 增强型 PMOS 25.与双极型晶体管比较，场效应管_ 输入电阻小 制作工艺复杂 放大能力弱 26 ．P 沟道增强型 MOS 管工作在恒流区的条件是 _。 ， ，