12.P沟道增强型MOS管的，外加电压Vcs的极性为 知4 A正B负C可正可负 13.某场效应管的转移特性如由图所示，则该管是 场效应管。 A增强型NMOS B耗尽型NMOS C耗尽型PNOS 13.当s=0时，不能够工作在恒流区的场效应管是 A结型B增强型MOS管C耗尽型MOS管 l5.结型场效应管的漏源击穿电压UaRs随Wcs的增大而· A增大B减小C不变 16.各种场效应管对电压s极性的要求由 决定。 A'Gs的极性B耗尽型还是增强型C沟道的类型 17.场效应管自给偏压电路适合于 场效应管组成的放大电路。 A增强型B耗尽型C增强型和耗尽型 18.场效应管分压失偏置电路适合于一场效应管组成的放大电路。 A增强型B耗尽型C增强型和耗尽型 19,反映场效应管放大能力的一个重要参数是 A输出电阻B击穿电压C跨导 20·对于结型场效应管来说，如果Us>亿UGsoml,那么，管子一定工作于 A可变电阻区B饱和区C截止区 21.当场效应管工作于放大区时，其漏极电流只受电压一的控制12.P 沟道增强型 MOS 管的，外加电压 VGS 的极性为 _ 。 正 负 可正可负 13． 某场效应管的转移特性如由图所示，则该管是 _ 场效应管 。 增强型 NMOS 耗尽型 NMOS 耗尽型 PMOS 13.当 VGS =0 时， 不能够工作在恒流区的场效应管是_ 。 结型 增强型 MOS 管 耗尽型 MOS 管 15.结型场效应管的漏源击穿电压 UBRDS 随 VGS 的增大而_ 。 增大 减小 不变 16.各种场效应管对电压 VDS 极性的要求由 _ 决定。 VGS 的极性 耗尽型还是增强型 沟道的类型 17.场效应管自给偏压电路适合于_ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 18.场效应管分压失偏置电路适合于_ 场效应管组成的放大电路。 增强型 耗尽型 增强型和耗尽型 19 ．反映场效应管放大能力的一个重要参数是_。 输出电阻 击穿电压 跨导 20 ．对于结型场效应管来说，如果 |UGS|>|UGS(off)|, 那么，管子一定工作于 _ 。 可变电阻区 饱和区 截止区 21.当场效应管工作于放大区时，其漏极电流 ID 只受电压 _ 的控制 _