三、场效应管及其放大电路 1.场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成。 A少子B多子C两种载流子 2.场效应管是一种控制型的电子器件。 A电流B光C电压 3.场效应管是利用外加电压产生的 一来控制漏极电流的大小的。 A电流B电场C电压 4.结型场效应管利用删源极间所加的 来改变导电沟道的电阻。 A反偏电压B反向电流C正偏电压 5.P沟道结型场效应管的夹断电压Uastom为 A正值B负值C零 6P沟道增强型MOS管的开启电压UGs为 A正值B负值C零 7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的P结 A必须正偏B必须反偏C可以任意偏置 8.若耗尽型的NMOS管的Gs>0,则其输入电阻 A增大B减小C不变 9.结型场效应管外加电压Vs和s的极性】 A无特殊要求8必须相反C必须相同 10.当场效应管的漏极直流电流D从1mA变为2A时，它的低频跨导将 A增大B减小C不变 1L.P沟道耗尽型MOS管的外加电压Vcs的极性为 A正B负C可正可负 三、场效应管及其放大电路 1.场效应管的漏极电流是由 _ 的漂移运动形成。 少子 多子 两种载流子 2.场效应管是一种 控制 型的电子器件。 电流 光 电压 3.场效应管是利用外加电压产生的 _ 来控制漏极电流的大小的。 电流 电场 电压 4.结型场效应管利用删源极间所加的 _ 来改变导电沟道的电阻。 反偏电压 反向电流 正偏电压 5.P 沟道结型场效应管的夹断电压 UGS(off)为 _ 。 正值 负值 零 6 P 沟道增强型 MOS 管的开启电压 UGS(th)为 _ 。 正值 负值 零 7.为了提高输入电阻，对于结型场效应管，栅源极之间的 PN 结_ 。 必须正偏 必须反偏 可以任意偏置 8.若耗尽型的 NMOS 管的 VGS>0 ，则其输入电阻_ 。 增大 减小 不变 9.结型场效应管外加电压 VGS 和 VDS 的极性 _ 。 无特殊要求 必须相反 必须相同 10.当场效应管的漏极直流电流 ID 从 1mA 变为 2mA 时,它的低频跨导将_ 增大 减小 不变 11.P 沟道耗尽型 MOS 管的外加电压 VGS 的极性为 _ 。 正 负 可正可负