图1在700℃，2%CH4,1%O2时，金刚石膜扫描电镜照片（衬底为硅） (a)表面形貌 (b)断面形貌 Fig.1 SEM photographs of a diamond film on silicon substrate deposited at700℃，2%CH,1%O: 的硅(400)的强度可以看出入射X-射线已穿 透10μm厚的金刚石薄膜，深入硅衬底之中。对 此衍射谱的标定结果列于表2，可以看出图2中 所有谱线除硅(400)衍射外均可用金刚石 (fcc,a=0.35667nm)SiC (Hex.a =0.3073 nm,c=5.278nm)结构加以标定，其峰位亦示 C D 于图2。显然硅(400)衍射来自单晶硅衬底， 人L 40 100: 130 碳化硅衍射峰来自界面过渡层。从表2所示结 果可以看出，本研究中气相生长的金刚石薄膜 图2 图1所示金刚石膜的X-Ray衍射谱 C:a-SiC,D:金刚石 与天然金刚石面间距数值完全吻合。 Fig.2 X-ray diffraction spectrum of 图3为在580℃，435℃，380℃和290℃低温 the diamond film sample sho- 下沉积的金刚石薄膜的扫描电镜照片，可以 wa in fig.1 表2图2所示衍射谱的标定结果 Table 2 Indexing of the spectrum shown in Fig.2 金刚石· a-SiC. Si No. 20 hke d hke d hke d vw 41,72 2,163 0114 2.17 MS 43,90 2.060 111 2.060 3 s 61.66 1,503 0129 1,51 4 VVS 68,98 1.358 400 1.358 MW 75,3 1,261 220 1.261 0042 1,259 6 0 91,48 1.075 311 1.07542029 1,076 vw 115.92 0.908 2125 0.906 8 W 116,62 0.905 1055,12260.902 9 VW 119,4 0,892 400 0.8916 0156 0.888 ◆From ASTM Card6-0675 From ASTM Card 22-1319 425图 在 ℃ ， ， 时 ， 金 刚石 膜 扫描 电镜照 片 衬底为硅 断面 形 貌 主 切目 以 表面 形 貌 ， ， ， 的硅 。 的强 度可以看 出人射 一 射 线 已穿 透 卯 厚 的金 刚石 薄膜 ， 深人硅衬底之 中 。 对 此衍射 谱 的标定 结果 列于 表 ， 可以看 出图 中 所有谱线除硅 衍射 外 均 可 用 金 刚 石 ， 和 ， “ 皿 结构加 以标定 ， 其峰位亦示 于图 。 显然硅 衍射来 自单晶硅衬底 ， 碳 化硅 衍射 峰来 自界面过 渡层 。 从表 所示结 果可 以看 出 ， 本研 究中气相生长的金 刚石薄膜 与天然金 刚石 面 间距数值完全吻 合 。 图 为在 ℃ ， 连 ， ， 和 ℃ 低温 下 沉积 的金 刚石 薄膜 的扫描 电 镜 照 片 ， 可 以 图 图 所示 金刚石膜的 一 衍射谱 一 ， 金刚石 一 表 图 所 示 衍射谱的标定 结 果 金 刚 石 一 二 。 口 坦生 · 连 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ， 。 。 一 一一一 一 一 一 一 阴 一 一 ， 一一 一 比 ， 一 ， 一