很小时,ⅤDs对沟道的影响可以忽略,输出特性曲线近似为一组直线,如上 图中虚线左侧部分,JT可看成为一个阻值受Vcs控制的线性电阻,故非饱 和区又称可变电阻区。Ib、VD和vcs三者关系见教材P120的3-2-1式。 饱和区:沟道被预夹断后所对应的区域,在这个区域中,输出特性近似为 组受Vs控制而与Vs无关的水平线,D和Ves关系为: ID= IDSs(1-VGS/VGS (OFF))2 -(1) 其中Ipss是vs=0,VDs=Vs(om时的漏极电流,称为漏极饱和电流 实际上,当Ves一定,VDs的绝对值由小增大时,夹断点A至源极间的沟道 长度略有减小,呈现的沟道电阻也就略有减小,因此Lb略有上升,这种效应 称为沟道长度调制效应,同样可用厄尔利电压修正,修正后的公式为: ID= Iss(1 -VGS/VGS (OFD)2(1-VDS / VA Ds和vGs(o)还与温度有关,当温度增加,PN结内建电位差vg减小,相 应的vs(o增加,具有正的温度系数,而由于载流子迁移率下降,Iss 小,具有负的温度系数,这样会出现当Vcs为某值时,I具有零的温度系数。 击穿区:漏栅间产生雪崩击穿,L剧增,V(D在-20V—50V之间 截至区 GS YGS (OFF 沟道全部夹断 0 2、转移特性曲线:它描述以VDs参变量,I和Vcs之间的关系,见上面(1)很小时， VDS对沟道的影响可以忽略，输出特性曲线近似为一组直线，如上 图中虚线左侧部分，JFET可看成为一个阻值受VGS控制的线性电阻，故非饱 和区又称可变电阻区。ID、VDS和VGS三者关系见教材P120的3-2-1式。 饱和区：沟道被预夹断后所对应的区域，在这个区域中，输出特性近似为一 组受VGS控制而与VDS无关的水平线，ID和VGS关系为： ID= IDSS (1- VGS / VGS（OFF）) 2 --------------（1） 其中 IDSS是VGS =0， VDS = -VGS（OFF）时的漏极电流，称为漏极饱和电流。 实际上，当VGS一定，VDS的绝对值由小增大时，夹断点A至源极间的沟道 长度略有减小，呈现的沟道电阻也就略有减小，因此ID略有上升，这种效应 称为沟道长度调制效应，同样可用厄尔利电压修正，修正后的公式为： ID= IDSS (1- VGS / VGS（OFF）) 2 (1- VDS /VA) IDSS和VGS（OFF）还与温度有关，当温度增加，PN结内建电位差VB减小，相 应的VGS（OFF）增加，具有正的温度系数，而由于载流子迁移率下降，IDSS 减 小，具有负的温度系数，这样会出现当VGS为某值时，ID具有零的温 度系数。 击穿区：漏栅间产生雪崩击穿，ID剧增，V（BR）DS在-20V——-50V之间 。 截至区： VGS > VGS（OFF），沟道全部夹断，ID= 0 2、转移特性曲线：它描述以VDS参变量， ID和VGS之间的关系，见上面（1） 式（管子工作在饱和区），非饱和区见教材P120的3-2-1式