综上所述,当Ⅴcs一定,Vυs的绝对值由小增大时,开始随ⅤDs线性增大, 而 后增大程度逐步趋于缓慢,直到Vs的绝对值大于Vs(出现了夹断点),D 便基本停止增长,趋于恒定,而Vs一定,Vs的绝对值由小增大时,导电沟 道变窄,J减小,直到Vs=Vs(oH),整个沟道被夹断,b=0,可见这种 夹断与前述近漏端沟道夹断的结果不一样,为了区别这两种夹断,将近漏端 沟道夹断称为预夹断。 JFET的伏安特性曲线 下面仍以P沟道JFET共源极连接为例,讨论JFET的伏安特性 由于场效应管栅极基本不取电流,故共源极连接时不誡谄其输入特性曲线, 这里分别讨论其输出特性曲线和转移特性曲线。 1、输出特性曲线:右图为P沟道JET共源极 连接时的输出特性曲线,其与PNP性三极 +1 管共发射极输出特性曲线十分相似,同样 划分四个区:非饱和区、饱和区、截止区 和击穿区。 非饱和区:尚未发生预夹断的区域,也就是 Vps(V) DS GS (OFF) GD SD 此时,I同时受Ⅴns和V的控制,当V综上所述，当VGS一定，VDS的绝对值由小增大时, ID开始随VDS线性增大， 而 后增大程度逐步趋于缓慢，直到VDS的绝对值大于VAS（出现了夹断点），ID 便基本停止增长，趋于恒定，而VDS一定，VGS的绝对值由小增大时，导电沟 道变窄， ID减小，直到VGS=VGS（OFF），整个沟道被夹断， ID =0， 可见这种 夹断与前述近漏端沟道夹断的结果不一样，为了区别这两种夹断，将近漏端 沟道夹断称为预夹断。 二、JFET的伏安特性曲线 下面仍以P沟道JFET共源极连接为例，讨论JFET的伏安特性。 由于场效应管栅极基本不取电流，故共源极连接时不讨论其输入特性曲线， 这里分别讨论其输出特性曲线和转移特性曲线。 1、输出特性曲线：右图为P沟道JFET共源极 连接时的输出特性曲线，其与PNP性三极 管共发射极输出特性曲线十分相似，同样 划分四个区：非饱和区、饱和区、截止区 和击穿区。 非饱和区: 尚未发生预夹断的区域，也就是 | VDS|<| VGS—VGS（OFF）|{VGD = VGS+ VSD} 此时， ID同时受VDS和VGS的控制，当|VSD | ID(mA) -VDS(V) VGS=0 +1 +2 +3 5