化学气相沉积反应的类型 氧化反应 如利用02作为氧化剂制备Si02薄膜的氧化反应 SiH4(g)+02(g)→Si02(s)+2H2(g)(450°C) 由H20作为氧化剂制备Si02薄膜的氧化反应 SiCl4(g)+2H20(g)→Si02(s)+4HCl(g)(15009C) 岐化反应 如GeI2变价为另一种更稳定的化合物和Ge的岐化反应 2GeI2(g)<>Ge(s)+GeI4(g)(300~600°C) 置换反应 如将不同化合物中的元素改变结合对象得到SiC的反应 Sicl4(g)+ch4(g)=SiC(s)+4HC1(g)(1400C)化学气相沉积反应的类型 氧化反应 如利用O2作为氧化剂制备SiO2薄膜的氧化反应 SiH4(g)+O2(g)SiO2(s)+2H2(g) (450C) 由H2O作为氧化剂制备SiO2薄膜的氧化反应 SiCl4(g)+2H2O(g)SiO2(s)+4HCl(g) (1500C) 岐化反应 如GeI2变价为另一种更稳定的化合物和Ge的岐化反应 2GeI2(g)Ge(s)+GeI4(g) (300600C) 置换反应 如将不同化合物中的元素改变结合对象得到SiC的反应 SiCl4(g)+CH4(g)SiC(s)+4HCl(g) (1400C)