化学气相沉积反应的类型 热解反应 如由SiH4热解沉积多晶Si和非晶Si的反应 SiH4 (g)=Si(s)+2H2(g) (650°C) 由羟基镍热解生成金属Ni薄膜的反应 Ni(CO)4(g)→Ni(s)+4C0(g)(1809C) 还原反应 如利用H2还原SiC14外延制备单晶硅薄膜的反应 SiC14(g)+2H2(g)→Si(s)+4HCl(g)(1200°C) 由六氟化物制备难熔金属W、M薄膜的反应 WF6(g)+3H2(g)→W(s)+6HF(g)(300°C)化学气相沉积反应的类型 热解反应 如由SiH4热解沉积多晶Si和非晶Si的反应 SiH4(g)Si(s)+2H2(g) (650C) 由羟基镍热解生成金属Ni薄膜的反应 Ni(CO)4(g)Ni(s)+4CO(g) (180C) 还原反应 如利用H2还原SiCl4外延制备单晶硅薄膜的反应 SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g) (1200C) 由六氟化物制备难熔金属W、Mo薄膜的反应 WF6(g)+3H2(g)W(s)+6HF(g) (300C)