则(10)式化为 e=n8v.(+D) (11) m ”124.2N212 若1用安培，Ua用伏特，1用米，N用匝数，则 则(117)式化简为 =n0E+D x104(c/kg) (12) m 212N212 式中N、1、L、D都由实验室提供，只需测量出U。、I,就能利用(12)计算电子荷质比. (2)步骤 a.按图2连接电路.选定加速电压Ua(850V,950V). b.测定第一次、第二次、第三次聚焦时的励磁电流1'，上'和3'·为了减少误差， 各测六次，求平均值，' ℃.改变螺旋管磁场方向，分别记录下聚焦时的励磁电流1”、2”和”.各测六次， 并算出平均值1”. d.分别计算出第一次、第二次、第三次聚焦时的励磁电流值小、，(1，=I+上).然 2 后将小、h、5折算为第一次聚焦时的平均励磁电流人，即平均值I=+:+↓.根据公 1+2+3 式(12)计算出电子荷质比，并与理论值比较. 2.电场偏转法测定电子荷质比 (1)原理 零电场法是使电子进入加速电极后在 零电场中作螺旋线运动.改变磁感应强度B, 使电子射线前进的螺距h恰好等于示波管第 一聚焦F1,到荧光屏之间的距离1，由此测 定电子荷质比。 D. 8SJ3 如图4所示，电场偏转法则是在示波 管的偏转板（图为X偏转板.而此刻Y偏 转板与变压器中心抽头连在一起，并接到第 二阳极A2上，保持与A2有相同的电位.以 防杂散电子散落在Y偏转板上，产生附加电 场)上加以交流电压，使电子获得偏转速度 图4电场偏转法接线图 'x·在螺线管未通电流时，因电子射线偏转 而在荧光屏上出现一条亮线.接通励磁电流后，不同偏转速度的电子将沿不同的螺旋线 运动，但在荧光屏上所见的轨迹仍是一条亮线.随着磁感应强度B的逐渐增大，亮线开始 转动，并逐渐缩短，如图5所示.当转过角度π时，亮线缩成一点，这是因不同偏转速度 4141 则（10）式化为 ( ) 2 2 2 2 2 0 2 2 2 8 L D l u N I U n m e a = + p （11） 若 I 用安培，Ua用伏特，l 用米，N 用匝数，则 则（117）式化简为 ( ) 14 2 2 2 2 2 2 10 2 ´ + = l N I U L D n m e a （c / kg） （12） 式中 N、l、L、D 都由实验室提供，只需测量出 Ua、I，就能利用（12）计算电子荷质比． （2）步骤 a．按图 2 连接电路．选定加速电压 Ua（850 V，950 V）． b．测定第一次、第二次、第三次聚焦时的励磁电流 I1′，I2′和 I3′．为了减少误差， 各测六次，求平均值 Ii′． c．改变螺旋管磁场方向，分别记录下聚焦时的励磁电流 I1″、I2″和 I3″．各测六次， 并算出平均值 Ii″． d．分别计算出第一次、第二次、第三次聚焦时的励磁电流值 I1、I2、I（3 2 ¢ ² + = i i i I I I ）．然 后将 I1、I2、I3 折算为第一次聚焦时的平均励磁电流 I，即平均值 1 2 3 1 2 3 + + + + = I I I I ．根据公 式（12）计算出电子荷质比，并与理论值比较． 2．电场偏转法测定电子荷质比 （1）原理 零电场法是使电子进入加速电极后在 零电场中作螺旋线运动．改变磁感应强度 B， 使电子射线前进的螺距 h 恰好等于示波管第 一聚焦 F1，到荧光屏之间的距离 l，由此测 定电子荷质比． 如图 4 所示，电场偏转法则是在示波 管的偏转板（图为 X 偏转板．而此刻 Y 偏 转板与变压器中心抽头连在一起，并接到第 二阳极 A2上，保持与 A2有相同的电位．以 防杂散电子散落在Y 偏转板上，产生附加电 场）上加以交流电压，使电子获得偏转速度 vx．在螺线管未通电流时，因电子射线偏转 而在荧光屏上出现一条亮线．接通励磁电流后，不同偏转速度 vx的电子将沿不同的螺旋线 运动，但在荧光屏上所见的轨迹仍是一条亮线．随着磁感应强度 B 的逐渐增大，亮线开始 转动，并逐渐缩短，如图 5 所示．当转过角度 π 时，亮线缩成一点，这是因不同偏转速度 U- U+ H K G D A1 U Dy 8SJ31 x n ¤ ⊙ 一 二 ~ A2 图 4 电场偏转法接线图