中国科学技术大学物理系微电子专业 幸运电子( Lucky- -electron)模型 在S中距离 Si-Sio2界面距离为d处导带电子发射进入 sio2的概率可表示为:P(d)=Aexp(d/A) 其中λ为热电子能量损失的有效平均自由程 发射相关的有效势垒为:qV(d)=-△p-aE23 E 镜像力感应的势垒降低 4正 有效平均自由程的温度 依赖关系可表示为 (1)=2tanh(E2/2k/ Semiconductor Devices 2021/2/8 12中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 12 Semiconductor Devices