中国科学技术大学物理系微电子专业 第六章:新型半导体器件 §61现代MOS器件 §62CCD器件 §6.3存储器件 §6纳米器件 §65功率器件 §6.6微波器件 §6.7光电子器件 §6.8量子器件 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 1 Semiconductor Devices 第六章： 新型半导体器件 §6.1 现代MOS器件 §6.2 CCD器件 §6.3 存储器件 §6.4 纳米器件 §6.5 功率器件 §6.6 微波器件 §6.7 光电子器件 §6.8 量子器件
中国科学技术大学物理系微电子专业 §6现代MOS器件 ULSⅠ发展的两个主要方向:深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成。 因此需要对深亚微米和亚0.微米工艺、器 件和电路技术,器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小 mOsfet中的一些物理效 应,如器件尺寸变小,通常的一维器件模 型需要修正,出现二维、三维效应,同时 还会出现各种强电场效应。 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 2 Semiconductor Devices §6.1 现代MOS器件 • ULSI发展的两个主要方向：深亚微米与亚 0.1微米集成和系统的芯片集成。 • 因此需要对深亚微米和亚0.1微米工艺、器 件和电路技术，器件的结构和相应的物理 机理的研究。微小MOSFET中的一些物理效 应，如器件尺寸变小，通常的一维器件模 型需要修正，出现二维、三维效应，同时 还会出现各种强电场效应
中国科学技术太学物理系微电子专业 MOSFET的按比例缩小 近20年来,恒压按比例缩小规则的使用比较成功, 但随着工艺的发展,器件性能和集成密度进一步 提高,目前逐渐逼近其基本的物理极限。 如果要进一步提高集成电路的性能,则需要考虑 更多的因素,而不仅仅是简单的按比例缩小器件 尺寸。需要同时在降低电源电压、提高器件性能 和提髙器件可靠性等三个方面之间进行折衷选择 金属栅和高K栅介质的应用 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 3 Semiconductor Devices 一、MOSFET的按比例缩小 • 近20年来，恒压按比例缩小规则的使用比较成功， 但随着工艺的发展，器件性能和集成密度进一步 提高，目前逐渐逼近其基本的物理极限。 • 如果要进一步提高集成电路的性能，则需要考虑 更多的因素，而不仅仅是简单的按比例缩小器件 尺寸。需要同时在降低电源电压、提高器件性能 和提高器件可靠性等三个方面之间进行折衷选择。 • 金属栅和高K栅介质的应用
中国科学技术大学物理系微电子专业 按比例缩小( Scaling down)的规则 不断缩小器件特征尺寸,是半导体集成电路技术发展的基本规律 90nm Node 20365moe 为维持好的器 2005 件特征,保证 45nm Node 栅对沟道载流 2007 32nm Node 2 子分布的有效 2009 控制,MOS器 22nm Node 50nm Length 2011 件特征尺寸在 EDM2002)30m 25m 16 nm nod 缩小过程中 Prototype 2013 (EDM2000) 20nm Prototype 各结构参数需 Lsi2001) 要遵循一定的 15nm Prototype (EDM2001) 规律,即按比 10nm Prototype 7nm [DRc2003 例缩小规则。 Semiconductor Devices 2021/2/8
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中国科学技术大学物理系微电子专业 栅氧化层厚度缩小的物理限制 随器件特征尺寸的缩小,沟道长度、栅氧化层厚度、源漏与 沟道结深尺度需要按比例缩小(LαTaxX3)。当栅氧化层厚 度缩小到2nm以下时,量子直接隧穿效应将变得非常显著。 E+03 E+02 SiO2 Gate Leakage Gate +01 (from literature) Cate Oxide E+00 E-01 E-02 Source Drail E-03 E-04 E-05 E-06 5 10 15 Physical Tox Semiconductor Devices 2021/2/8
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中国科学技术大学物理系微电子专业 ·高K栅介质和金属栅电极的需求 利用高K栅介质替代SiO2作为栅介质层材料,由于在维持相 同等效氧化层厚度的情形下,可使用厚的介质层厚度,从而 显著减小量子直接隧穿效应引起的栅泄漏电流。 等效氧化层厚度( Equivalent Gate Oxide thickness,EoT)是指 厚度为t介电常数为cmn的介质 材料等效为SiO2对应的厚度: Source Drain High K Gate Dielectric EOT=t= Semiconductor Devices 2021/2/8
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中国科学技术大学物理系微电子专业 理论计算和实验结果均证实与SiO2栅介质相比,采用高K栅 介质后,在相同的EOT下,栅泄漏电流可显著减小 EOT=1.0nm N=5×1017cm Poly SI/SIO Naate=1x10cm Benchmark SiN ALO CT 10F fO, n-MOSCAP TiO Y2 03 WO surface nitridation 2.0 3.0 0812162024 EOT(nm) 各种高K介质材料及SiO栅泄漏实验测量的高K栅介质与 电流的理论计算结果 SiO2栅泄漏电流比较 Semiconductor Devices 2021/2/8
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中国科学技术大学物理系微电子专业 ·实验结果表明,在进行折衷的过程中,源、漏结的参数, 尤其是结深、Rs和结的突变性是至关重要的因素。尽管 这种经验方法不是很理想,而且难以符合基于基本物理规 律的按比例缩小规则,但是这种经验方法更准确、更实用 些。这是由于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向 以及其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时,器件的 三维特性越加突出;同时由于基本物理极限的限制,对亚 0.lμum器件的进一步缩小变得非常困难,这主要包括超薄 栅氧化层的制作;源、漏超浅结的形成以及小尺寸器件必 须在很低的电源电压下工作所带来的问题等。截至目前为 止,器件和ULSⅠCMOS工艺发展的实际情况是器件的各 个部分都在缩小。 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 8 Semiconductor Devices • 实验结果表明，在进行折衷的过程中，源、漏结的参数， 尤其是结深、RSD和结的突变性是至关重要的因素。尽管 这种经验方法不是很理想，而且难以符合基于基本物理规 律的按比例缩小规则，但是这种经验方法更准确、更实用 一些。这是由于当器件横向尺寸的变化使器件的纵、横向 以及其他各方向上的参数错综复杂地相互作用时，器件的 三维特性越加突出；同时由于基本物理极限的限制，对亚 0.1μm器件的进一步缩小变得非常困难，这主要包括超薄 栅氧化层的制作；源、漏超浅结的形成以及小尺寸器件必 须在很低的电源电压下工作所带来的问题等。截至目前为 止，器件和ULSI CMOS工艺发展的实际情况是器件的各 个部分都在缩小
中国科学技术大学物理系微电子专业 二、现代MOS器件的一些物理效应 短沟道效应(SCE) 微小尺寸效应,狭义的定义,是指随沟道 缩短,阈值电压减小(n沟)或增大(p沟) 的效应( TRoll off)。 Vr roll of现象包括ⅤD很低时测定Ⅴ随Ig 变化和VD很高时随Lg的变化。 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 9 Semiconductor Devices 二、现代MOS器件的一些物理效应 • 短沟道效应（SCE） 微小尺寸效应，狭义的定义，是指随沟道 缩短，阈值电压减小（n沟）或增大（p沟） 的效应（VT roll off）。 VT roll off现象包括VDS很低时测定VT随Lg 变化和VDS很高时VT随Lg的变化
中国科学技术大学物理系微电子专业 DBL效应与器件穿通 DBL即漏电压感应源势垒下降效应,是器件二维效应与 强电场效应结合的结果。当漏结加较大的电压时,结电场 向源区发展,因为沟道很窄,使漏结电场与源结相耦合, 当ⅴDS高到一定程度,漏的结电场就会影响源p结的势垒, 使之降低,这便是DIBL效应。一个明显结果是使Ⅴ降低, 因为源势垒下降,就可用较低栅压使器件开启。 因为在一定的vDs下,Lg越小DBL导致的越大,因此 DⅠBL产生 TRoll off,而且VDs越高,Ⅴ roll of效应越 显著。同时DIBL效应会影响 MOSFET的亚阈区特性,包 括使S和Iof"化。因此在深亚微米与亚0.1微米的设计中 要避免或抑制DIBL效应。 Semiconductor Devices 2021/2/8
中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 10 Semiconductor Devices • DIBL效应与器件穿通 DIBL即漏电压感应源势垒下降效应，是器件二维效应与 强电场效应结合的结果。当漏结加较大的电压时，结电场 向源区发展，因为沟道很窄，使漏结电场与源结相耦合， 当VDS高到一定程度，漏的结电场就会影响源pn结的势垒， 使之降低，这便是DIBL效应。一个明显结果是使VT降低， 因为源势垒下降，就可用较低栅压使器件开启。 因为在一定的VDS下，Lg越小DIBL导致的越大，因此 DIBL也产生VT roll off，而且VDS越高，VT roll off效应越 显著。同时DIBL效应会影响MOSFET的亚阈区特性，包 括使S和Ioff退化。因此在深亚微米与亚0.1微米的设计中 要避免或抑制DIBL效应
