中国科学技术大学物理系微电子专业 热载流子注入( Injection of Hot Carrier 热载流子退化 在短沟道下,如果电压较大,横向(沟道方向) 和纵向(垂直沟道方向)的电场强度会大大增强 在强电场作用下,载流子能量大大提高,使其平 均能量远大于kT,或等效载流子温度Te超过环境 (晶格)温度T,这时载流子称为热载流子 热载流子效应 热载流子注入引起 MOSFet器件性能退化的效应 Semiconductor Devices 2021/2/8中国科学技术大学物理系微电子专业 2021/2/8 11 Semiconductor Devices 热载流子注入（Injection of Hot Carrier） • 热载流子退化 在短沟道下，如果电压较大，横向（沟道方向） 和纵向（垂直沟道方向）的电场强度会大大增强。 在强电场作用下，载流子能量大大提高，使其平 均能量远大于kT，或等效载流子温度Te超过环境 （晶格）温度T，这时载流子称为热载流子。 热载流子效应 热载流子注入引起MOSFET器件性能退化的效应