D1 D2 +NN 十 D3立Vo 1k2, 图1-3 4.已知双极型晶体管(BJT)的特征频率fr=200MHz,基极欧姆电阻rb=100,B=100,VA=200V。 试求BJT工作在静态工作点Q(Vcea-5V,lca=lmA)处时晶体管的小信号参数re、rce、rc gm和Cbe。 5电路如图1-5所示： (1)设硅NPN晶体管的B=60,工作点Q位于lco=2mA,VcE0=12V,试选取Rg、Rc的值。 (2)换一只B=100的晶体管，求工作点lca和Vca。 Vcc=24V 图1-5 6.硅PNP晶体管电路如图1-6所示，其中晶体管的B=100,R=10kQ,Rc=5.1k2, Vcc=-10V,V=10V。问，输入v:在什么范围内变化晶体管可工作在放大区中？ VEE-+10V 10k2 门R 5.1kQ Vo=-10V 图1-6- + VI VO D3 D1 D2 R 1kΩ + - I IR ID3 D1 图 1‐3 4．已知双极型晶体管（BJT）的特征频率 fT=200MHz，基极欧姆电阻 rbb‘=100，β=100，VA=200V。 试求 BJT 工作在静态工作点 Q（VCEQ=5V，ICQ=1mA）处时晶体管的小信号参数 rb’e、rce、rb’c、 gm和 Cb’e。 5 电路如图 1‐5 所示： （1） 设硅 NPN 晶体管的β=60，工作点 Q 位于 ICQ=2mA，VCEQ=12V，试选取 RB、RC的值。 （2） 换一只β=100 的晶体管，求工作点 ICQ 和 VCEQ。 Vcc=24V RB RC 图 1‐5 6.硅 PNP 晶体管电路如图 1‐6 所示，其中晶体管的β=100，RE=10kΩ，RC=5.1 kΩ, Vcc=-10V,VEE=10V。问，输入 vi在什么范围内变化晶体管可工作在放大区中？ VEE=+10V VCC=-10V vi RE 10kΩ RC 5.1kΩ 图 1‐6