7.在图1-7所示电路中，如果考虑到晶体管的B值和节电压V随温度变化，即温度每升高 1℃，B值增大0.5%，而VE下降2mV。问：当温度由T=25℃升高到75℃时，工作点Q将如 何变化？ Vo=12V 750k9 6.8k2 B=100 图1-7 8.耗尽型JFET场效应放大电路如图1-8所示.己知管子参数为V=-4V,Is=8mA,求V。、Im、 V、Vs的值。 Vpp-20V 2.7k2 图1-8 9.MOS管放大电路如图1-9所示。已知NM0S管得参数为Vn=1V,Kn=0.4Ma/N2,I=0.1mA, 试估算源电阻Rs和g的值。 图1-97.在图 1-7 所示电路中，如果考虑到晶体管的β值和节电压 VBE随温度变化，即温度每升高 1℃，β值增大 0.5%，而 VBE下降 2mV。问：当温度由 T=25℃升高到 75℃时，工作点 Q 将如 何变化？ 图 1‐7 8.耗尽型 JFET 场效应放大电路如图 1-8 所示.已知管子参数为 VP=-4V,IDSS=8mA,求 VG、IDQ、 VGSQ、VDSQ的值。 图 1‐8 9.NMOS 管放大电路如图 1-9 所示。已知 NMOS 管得参数为 VTN=1V，Kn=0.4Ma/V2 ,IDQ=0.1mA， 试估算源电阻 RS和 gm的值。 图 1‐9