第二章补充题 1.电路图图1-1所示，已知输入为4=5sin01(V),二极管导通电压Up=0.7V。试画出4，与 u。的波形，并标出其幅值。 R DY大D2 Uj Uo 3V÷3V 图1-1 2.二极管电路如图1-2所示，试判断图中二极管的工作状态（导通or截止）。假设所有二 极管均为理想。 10V 1K乏 62 A 图1-2 3.二极管电路如图1-3所示，D1、D2、D3为普通硅二极管，其反向饱和电流5=2*1013A, 试问：输入电压V等于何值时输出电压为Vo=0.6V?
第二章补充题 1.电路图图 1‐1 所示，已知输入为u t i 5sin （V），二极管导通电压UD =0.7V。试画出ui 与 uo 的波形，并标出其幅值。 图 1‐1 2．二极管电路如图 1‐2 所示，试判断图中二极管的工作状态（导通 or 截止）。假设所有二 极管均为理想。 1KΩ 1KΩ 1KΩ 1KΩ 1KΩ 6V + - VZ 6V 10V A B 图 1‐2 3. 二极管电路如图 1‐3 所示，D1、D2、D3 为普通硅二极管，其反向饱和电流 Is=2*10‐13A， 试问：输入电压 VI等于何值时输出电压为 VO=0.6V？
D1 D2 +NN 十 D3立Vo 1k2, 图1-3 4.已知双极型晶体管(BJT)的特征频率fr=200MHz,基极欧姆电阻rb=100,B=100,VA=200V。 试求BJT工作在静态工作点Q(Vcea-5V,lca=lmA)处时晶体管的小信号参数re、rce、rc gm和Cbe。 5电路如图1-5所示： (1)设硅NPN晶体管的B=60,工作点Q位于lco=2mA,VcE0=12V,试选取Rg、Rc的值。 (2)换一只B=100的晶体管，求工作点lca和Vca。 Vcc=24V 图1-5 6.硅PNP晶体管电路如图1-6所示，其中晶体管的B=100,R=10kQ,Rc=5.1k2, Vcc=-10V,V=10V。问，输入v:在什么范围内变化晶体管可工作在放大区中？ VEE-+10V 10k2 门R 5.1kQ Vo=-10V 图1-6
- + VI VO D3 D1 D2 R 1kΩ + - I IR ID3 D1 图 1‐3 4．已知双极型晶体管（BJT）的特征频率 fT=200MHz，基极欧姆电阻 rbb‘=100，β=100，VA=200V。 试求 BJT 工作在静态工作点 Q（VCEQ=5V，ICQ=1mA）处时晶体管的小信号参数 rb’e、rce、rb’c、 gm和 Cb’e。 5 电路如图 1‐5 所示： （1） 设硅 NPN 晶体管的β=60，工作点 Q 位于 ICQ=2mA，VCEQ=12V，试选取 RB、RC的值。 （2） 换一只β=100 的晶体管，求工作点 ICQ 和 VCEQ。 Vcc=24V RB RC 图 1‐5 6.硅 PNP 晶体管电路如图 1‐6 所示，其中晶体管的β=100，RE=10kΩ，RC=5.1 kΩ, Vcc=-10V,VEE=10V。问，输入 vi在什么范围内变化晶体管可工作在放大区中？ VEE=+10V VCC=-10V vi RE 10kΩ RC 5.1kΩ 图 1‐6
7.在图1-7所示电路中，如果考虑到晶体管的B值和节电压V随温度变化，即温度每升高 1℃，B值增大0.5%，而VE下降2mV。问：当温度由T=25℃升高到75℃时，工作点Q将如 何变化？ Vo=12V 750k9 6.8k2 B=100 图1-7 8.耗尽型JFET场效应放大电路如图1-8所示.己知管子参数为V=-4V,Is=8mA,求V。、Im、 V、Vs的值。 Vpp-20V 2.7k2 图1-8 9.MOS管放大电路如图1-9所示。已知NM0S管得参数为Vn=1V,Kn=0.4Ma/N2,I=0.1mA, 试估算源电阻Rs和g的值。 图1-9
7.在图 1-7 所示电路中，如果考虑到晶体管的β值和节电压 VBE随温度变化，即温度每升高 1℃，β值增大 0.5%，而 VBE下降 2mV。问：当温度由 T=25℃升高到 75℃时，工作点 Q 将如 何变化？ 图 1‐7 8.耗尽型 JFET 场效应放大电路如图 1-8 所示.已知管子参数为 VP=-4V,IDSS=8mA,求 VG、IDQ、 VGSQ、VDSQ的值。 图 1‐8 9.NMOS 管放大电路如图 1-9 所示。已知 NMOS 管得参数为 VTN=1V，Kn=0.4Ma/V2 ,IDQ=0.1mA， 试估算源电阻 RS和 gm的值。 图 1‐9
10.PM0S管电路如图1-10所示，一直管子的Vm=-2V,K=1mA/N2,计算I、Ves和V。 Voo-10V I& 图1-10
10.PMOS 管电路如图 1-10 所示，一直管子的 VTP=-2V,KP=1mA/V2 ,计算 ID、VGS和 VSD。 图 1‐10