7.在变温测量过程中随着样品温度逐渐升高,霍尔电压的极性发生变化,试问产生这种极 性变化的原因是什么? 8.根据实验测量结果,逐一计算不同温度条件下的电阻率p和霍尔系数Rn。根据计算出的 电阻率及霍尔系数,作加P~(100)hR月-(1000)曲线,指出杂质电离饱和区 的温度范围,并根据最高测量温度时样品的空穴浓度与杂质浓度(受主型)的比较结果, 判断实验中样品是否已完全进入本征态范围 9.利用式(9-1-1)计算杂质电离饱和区内空穴迁移率Hp,并且作出lpDp~lnT曲线 假设41p=ATx,计算出A及x值并与Moin的结果:1n=4.0×10°726,1p=2.5 10T-23(cm2/Vs)作比较 10.利用实验数据及式(91-16)估算b值,并利用式(9-14)在Rn|的极值温度下算出 的b值进行比较,试讨论它们之间为何会有比较大的区别 1l.利用(41)0=480cm2NVs,以及从测量得lp~(10007)曲线中查出T=300K时的 电阻率,求出杂质浓度N4 12.产生本征激发的温度范围内,利用式(9-1-5)和(9-1-2)计算空穴浓度P、电子浓度n, 式中4Dp由杂质电离饱和区的lnyp~lnT曲线外推得到,b值可由 Morin结果式(9-1-4) 得到,作hp-()曲线和l(D-(07)曲线,并且利用 p-n=AT'expl KT ,求出硅的禁带宽度E 难点: 变温霍尔测量过程中,为什么温度稳定需要较长的时间?测量过程中永磁魔环转动过快 会影响温度显示吗?为什么?如何消除这现象。 2.在样品架上,样品和加热丝外包裏着一层抗高温的绝缘膜,它在样品温度快速达到平衡 过程中起什么作用? 3.在霍尔电压测量过程中极性由正变为负时,有时电压显示不稳定的原因是什么?如何进 行正确测量?7．在变温测量过程中随着样品温度逐渐升高，霍尔电压的极性发生变化，试问产生这种极 性变化的原因是什么？ 8．根据实验测量结果，逐一计算不同温度条件下的电阻率ρ和霍尔系数 RH 。根据计算出的 电阻率及霍尔系数，作 lnρ ~ (1000/T )及 ln RH ~ (1000/T )曲线，指出杂质电离饱和区 的温度范围，并根据最高测量温度时样品的空穴浓度与杂质浓度（受主型）的比较结果， 判断实验中样品是否已完全进入本征态范围。 9．利用式（9-1-1）计算杂质电离饱和区内空穴迁移率 μ LP ，并且作出 ln μ LP ~ lnT 曲线。 假设 μ LP = x AT − ，计算出 A 及 x 值并与 Morin 的结果：μ Ln = 4.0 × 109 −2.6 T , μ LP = 2.5 × 108 −2.3 T （cm 2 /V⋅s）作比较。 10．利用实验数据及式（9-1-16）估算b 值，并利用式（9-1-4）在 RH 的极值温度下算出 的b 值进行比较，试讨论它们之间为何会有比较大的区别。 11．利用( ) μ LP 300 = 480 cm2 /V⋅s，以及从测量得 lnρ ~ (1000 ⁄ T )曲线中查出T = 300 K 时的 电阻率，求出杂质浓度 NA。 12．产生本征激发的温度范围内，利用式（9-1-5）和（9-1-2）计算空穴浓度 p 、电子浓度 n ， 式中 μ LP 由杂质电离饱和区的 ln μ LP ~ lnT 曲线外推得到，b 值可由 Morin 结果式（9-1-4） 得到。作 ln p ~ ( ) 1000 T 曲线和 ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ ⋅ 3 ln T p n ~ (1000 T ) 曲线，并且利用 ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − ⋅ = KT E p n AT g exp 3 ，求出硅的禁带宽度 Eg 。 难点： 1． 变温霍尔测量过程中，为什么温度稳定需要较长的时间？测量过程中永磁魔环转动过快 会影响温度显示吗？为什么？如何消除这现象。 2． 在样品架上，样品和加热丝外包裹着一层抗高温的绝缘膜，它在样品温度快速达到平衡 过程中起什么作用？ 3． 在霍尔电压测量过程中极性由正变为负时，有时电压显示不稳定的原因是什么？如何进 行正确测量？