可进一步探索的问题: 设计一种固定和调节样品的方案,以确保磁场方向分别与样品表面平行或者垂直。 2.在80K~室温范围内,测量P型硅电阻率和霍尔系数随温度的变化关系,并且与前面测 量结果进行比较并且作出解释。可进一步探索的问题： 1． 设计一种固定和调节样品的方案，以确保磁场方向分别与样品表面平行或者垂直。 2． 在 80K~室温范围内，测量 P 型硅电阻率和霍尔系数随温度的变化关系，并且与前面测 量结果进行比较并且作出解释