用于电路图形生成的光刻技术是C按比例缩小的最关键技 术。 光学光刻技术通过不断缩短光源的波长和提高透镜的数值 孔径，使分辨率不断提高； 采用带有子场扫描的193nm波长的步进光刻机可以保证实 现90nm的特征尺寸； 有必要发展新的光致杭蚀剂（光刻胶）和甩胶”工艺； Mask illumination system 0.61 Ultraviolet light R=- NA Wafer =K1 handlers NA Mask Lens Wafer supply Refractive Wafer index of water =1.4 →1.4×NA Wafer stage Schematics of an immersion lithography setup• 用于电路图形生成的光刻技术是IC按比例缩小的最关键技 术。 • 光学光刻技术通过不断缩短光源的波长和提高透镜的数值 孔径，使分辨率不断提高； • 采用带有子场扫描的193nm波长的步进光刻机可以保证实 现90nm的特征尺寸； • 有必要发展新的光致杭蚀剂(光刻胶)和甩胶”工艺；