【实验内容】 1.测量集成蛋耳传感器灵敏度K随工作电压Us的变化.将集成霍耳传感器处于螺线 管内中心点，对于一个给定的工作电压US,测量U6(M=0)和输出电压U(=250mA), 用公式(2)求出K值，M=250mA时，B(x=0)的理论值可通过表1得到.Us取2.5V 至10V.计算K/Us值，并画出K/Us随Us变化图 2.在集成霍耳传感器处于零磁场和Us=5V条件下，将测量线路接成输出电压为零(U。 =0)的补偿电路（即将万用表负端导线接到直流分压器2.4~2.6V输出端，调节电压调 节调旋钮，使得U%=0,为什么？).将集成霍耳传感器处于螺线管内中心点，当螺线管通 过励磁电流M时，在0至500A电流输出范围内，每隔50mA测量集成霍耳传感器的输 出电压U,记录U~M关系数据.从实验结果说明通电螺线管内中心点磁感应强度B(x =0)与霍耳元件产生的霍耳电势差UA之间的关系.注意集成霍耳传感器的输出电压U是 通过霍耳电势差UH信号放大得到的. 3.利用上述测量数据，以通电螺线管中心点磁感应强度B(x=0)的理论计算值为标 准值，校准实验装置上集成霍耳传感器的灵敏度K(用公式(2)求出K值).不同励磁电 流I时螺线管中心点磁感应强度B(x=0)的理论计算值可通过表1得到.另外，也可以 用最小二乘法求出灵敏度K值.由公式(2)和(3)，很容易得到U=KC(=O),画出U值 随I变化图，由斜率即可求出K值.将这样确定的灵敏度K值与该产品说明提供的技术 指标比较。 4.测量励磁电流=250A时螺线管内磁场分布，记录输出电压U与位置刻度x的 关系数据，并由此得到磁感应强度B(x)与位置刻度x的关系（灵敏度K用实验内容(3） 确定的值)， 5.用作图纸绘出通电螺线管内磁感应强度的实验和理论计算曲线，实验测量数据和理 论计算曲线请分别用实圆点和实线表示，坐标原点选在螺旋管中心处（须对x轴进行坐标 平移). 【注意事项】 1.集成霍耳元件的V+和V极不能接反，否则将损坏元件. 2.仪器接通电源后，应预热数分钟再开始测量数据 3.拆除接线前应先关闭电源. 4.关闭恒流源、稳压电源前，应调节输出电流、电压至零，然后关闭电源. 3636 【实验内容】 1．测量集成霍耳传感器灵敏度 K 随工作电压 Us 的变化．将集成霍耳传感器处于螺线 管内中心点，对于一个给定的工作电压 Us，测量 U0 （IM = 0）和输出电压 U（IM = 250 mA）， 用公式（2）求出 K 值，IM =250 mA 时，B（x = 0）的理论值可通过表 1 得到．Us 取 2.5 V 至 10 V．计算 K/Us 值，并画出 K / Us 随 Us 变化图． 2．在集成霍耳传感器处于零磁场和 Us = 5 V 条件下，将测量线路接成输出电压为零（Uo = 0）的补偿电路（即将万用表负端导线接到直流分压器 2.4 ～ 2.6 V 输出端，调节电压调 节调旋钮，使得 U0 = 0，为什么？）．将集成霍耳传感器处于螺线管内中心点，当螺线管通 过励磁电流 IM时，在 0 至 500 mA 电流输出范围内，每隔 50 mA 测量集成霍耳传感器的输 出电压 U，记录 U ～ IM关系数据．从实验结果说明通电螺线管内中心点磁感应强度 B（x = 0）与霍耳元件产生的霍耳电势差 UH之间的关系．注意集成霍耳传感器的输出电压 U 是 通过霍耳电势差 UH信号放大得到的． 3．利用上述测量数据，以通电螺线管中心点磁感应强度 B（x = 0）的理论计算值为标 准值，校准实验装置上集成霍耳传感器的灵敏度 K（用公式（2）求出 K 值）．不同励磁电 流 IM时螺线管中心点磁感应强度 B（x = 0）的理论计算值可通过表 1 得到．另外，也可以 用最小二乘法求出灵敏度 K 值．由公式(2)和(3)，很容易得到 U = KC (x= 0) IM，画出 U 值 随 IM 变化图，由斜率即可求出 K 值．将这样确定的灵敏度 K 值与该产品说明提供的技术 指标比较． 4．测量励磁电流 IM = 250 mA 时螺线管内磁场分布，记录输出电压 U 与位置刻度 x 的 关系数据，并由此得到磁感应强度 B（x）与位置刻度 x 的关系（灵敏度 K 用实验内容（3） 确定的值）． 5．用作图纸绘出通电螺线管内磁感应强度的实验和理论计算曲线，实验测量数据和理 论计算曲线请分别用实圆点和实线表示，坐标原点选在螺旋管中心处（须对 x 轴进行坐标 平移）． 【注意事项】 1．集成霍耳元件的 V+和 V- 极不能接反，否则将损坏元件． 2．仪器接通电源后，应预热数分钟再开始测量数据． 3．拆除接线前应先关闭电源． 4．关闭恒流源、稳压电源前，应调节输出电流、电压至零，然后关闭电源．