多晶硅与非晶硅性能比较 性能参数 非晶硅 多晶硅 迁移率 ≤1cm2Vs 几十~几百 沉积温度 ≤300C ≤600℃（低温多晶硅) 光敏性 高 低 玻璃基底 可用 可用（低温多晶硅） TFT类型 N-ch N-ch,P-ch TFT体积 大 小多晶硅与非晶硅性能比较 性能参数 非晶硅 多晶硅 迁移率 ≤1cm2 /V·s 几十～几百 沉积温度 ≤300℃ ≤600℃（低温多晶硅） 光敏性 高 低 玻璃基底 可用 可用（低温多晶硅） TFT类型 N-ch N-ch, P-ch TFT体积 大 小