辉光放电是等离子体的一种形式。最简单的辉光放电装置可以由安放在低压 (10-1000Pa)气氛中的阴、阳极构成。在电极间施加一个电场,使气体击穿, 电子和正离子朝着带相反电荷的电极加速,轰击电极上的物质使之电离。待测试 样可直接或与石墨粉混合成型后作为阳极。辉光放电离子源中,有三种主要的放 电模式:①电容耦合射频放电;②直流放电;③脉冲直流放电。在平均功率相同 的情况下,脉冲直流放电可获得较大的离子流,能进行时间分辨的数据采集和质 谱甄别,削弱背景离子的贡献。辉光放电离子源的应用日益增多,尤其是对块状 金属进行快速可靠分析,可以完成原来用火花源质谱才能进行的元素快速定性普 查,具有简单、价廉、精密度较高的特点。 其它离子源 (1)激光离子源利用简单的光学系统,将能量为焦耳级的激光束聚焦在固 体表面某一微小区域內(微米级)就能使该微区的表面温度达到500010000K 并擦黑上以下效应:热电子发射、热离子发散、中性原子或分子蒸发、光电离。 其中所产生的热离子即可进行质谱分析 (2)离子轰击离子源是利用气体放电或其它方法产生具有一定能量的一次 离子束,轰击真空中的固体表面时,可以使被轰击区域的温度高达10000K,而 整个靶体的温度仍保持常温,同时发生一系列物理现象,如散射、中性粒子溅射、 正负二次离子溅射、ⅹ射线荧光、二次电子等。依溅射现象可以建立两种质谱分 析方法:1)直接引出溅射二次离子进行分析的二次离子质谱法(SIMS);2)利 用辅助电子束碰撞溅射岀的中性原子,使之成为离子之后进行分析,称为电离中 发展的固体表面和深度分析方法,在表面分析法一章里将作一些介绍 (二)质量分析器辉光放电是等离子体的一种形式。最简单的辉光放电装置可以由安放在低压 （10~1000Pa）气氛中的阴、阳极构成。在电极间施加一个电场，使气体击穿， 电子和正离子朝着带相反电荷的电极加速，轰击电极上的物质使之电离。待测试 样可直接或与石墨粉混合成型后作为阳极。辉光放电离子源中，有三种主要的放 电模式：①电容耦合射频放电；②直流放电；③脉冲直流放电。在平均功率相同 的情况下，脉冲直流放电可获得较大的离子流，能进行时间分辨的数据采集和质 谱甄别，削弱背景离子的贡献。辉光放电离子源的应用日益增多，尤其是对块状 金属进行快速可靠分析，可以完成原来用火花源质谱才能进行的元素快速定性普 查，具有简单、价廉、精密度较高的特点。 4．其它离子源 （1）激光离子源利用简单的光学系统，将能量为焦耳级的激光束聚焦在固 体表面某一微小区域内（微米级），就能使该微区的表面温度达到 5 000~10 000K， 并擦黑上以下效应：热电子发射、热离子发散、中性原子或分子蒸发、光电离。 其中所产生的热离子即可进行质谱分析。 （2）离子轰击离子源是利用气体放电或其它方法产生具有一定能量的一次 离子束，轰击真空中的固体表面时，可以使被轰击区域的温度高达 10 000K，而 整个靶体的温度仍保持常温，同时发生一系列物理现象，如散射、中性粒子溅射、 正负二次离子溅射、X 射线荧光、二次电子等。依溅射现象可以建立两种质谱分 析方法：1）直接引出溅射二次离子进行分析的二次离子质谱法（SIMS）；2）利 用辅助电子束碰撞溅射出的中性原子，使之成为离子之后进行分析，称为电离中 发展的固体表面和深度分析方法，在表面分析法一章里将作一些介绍。 （二）质量分析器