材料类型及发展现状 聚合物电双稳材料[3][4] ●薄膜电子学领域开发出一些列聚合物，他们 ●材料自身扩展了开关能力、寻址能力、电荷 SO,SO,H SO,H SO,H SO,SO,H ●适合与卷绕制造 ●制造工艺简单 ●聚合物电存储器工艺以全固态为基础 ●与机械硬盘和光驱相比不存在运动部件 一次写入可读出电存储器(WORM),使用有机二聚物(PEDOT/PSS)作为信息存储介质 电存储密度： 100Mbit 写入时间： <1s(每平方毫米) 主链带有稀土配合物的共轭聚合物PKEu用于有机电存储（闪存特性）。这种聚合物 为聚乙烯基咔唑(PVK)与Eu的配合物的共聚物结构 电流开关比： 10000 响应时间： <20μs 读写循环次数：>10M(百万次) Company Logo材料类型及发展现状 Company Logo 聚合物电双稳材料[3][4] l薄膜电子学领域开发出一些列聚合物，他们是双稳态的 l材料自身扩展了开关能力、寻址能力、电荷存储的功能 l适合与卷绕制造 l制造工艺简单 l聚合物电存储器工艺以全固态为基础 l与机械硬盘和光驱相比不存在运动部件 一次写入可读出电存储器(WORM)，使用有机二聚物(PEDOT/PSS)作为信息存储介质 •电存储密度： 100Mbit •写入时间： <1s(每平方毫米) 主链带有稀土配合物的共轭聚合物PKEu用于有机电存储(闪存特性)。这种聚合物 为聚乙烯基咔唑(PVK)与Eu的配合物的共聚物结构 •电流开关比： 10000 •响应时间： <20μs •读写循环次数： >10M(百万次)