§7.2CMOS反相器的开关特性 反相器的RC模型 VDD VDD Mp Cpp 术2 + Mn Vout Cpn Vout R。=B.nWo-V） Rp=- Bp(VDD-IVI D Cpa=CGDn+CpBn=CoL'Wn+CmAn+Chwn Pu 2 1 CDp CGDp+CDp=CoL'Wp+CpAp+Cjap Pp 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 §7.2CMOS反相器的开关特性 输入电容与负载效应 VDD CGp CL Mp in Cin →● Mn CGn in (a)Single stage (b)Loading due to fan-out Figure 7.9 Input capacitance and load effects 扇出(FO):与驱动门输出端相连的负载门的数目。 Cm=CGp+CGn CL=FO×Cm=3Cm 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 162018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 15 a §7.2 CMOS反相器的开关特性 ( ) 1 n DD Tn n V V R − = β ( | |) 1 p DD Tp p V V R − = β 反相器的RC模型 CDn = CGDn +CDBn = CoxL Wn +CjnAn +CjswnPn ' 2 1 CDp = CGDp +CDBp = CoxL Wp +Cjp Ap +CjswpPp ' 2 1 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 16 §7.2 CMOS反相器的开关特性 输入电容与负载效应 Cin = CGp +CGn CL FO Cin Cin = × = 3 扇出（FO）：与驱动门输出端相连的负载门的数目