§7.2CMOS反相器的开关特性 完整的反相器开关模型 ◆-VDD VDD p Mp M Vout Cout Vout Rn B(VDD-Vma) R=B(Vpo-IVmD Cou=CFET+CL=Con+CDp+CL 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 §7.2CMOS反相器的开关特性 7.2.1下降时间t计算 pFET off Vout (t) VDD. Cout Vout( Rn W-i 0 Vout (0)=VDD (a)Discharge circuit (b)Output waveform Figure 7.12 Discharge circuit for the fall time calculation i=-C out Vou()=VDD dt R 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 182018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 17 §7.2 CMOS反相器的开关特性 完整的反相器开关模型 ( ) 1 n DD Tn n V V R − = β ( | |) 1 p DD Tp p V V R − = β Cout = CFET +CL = CDn +CDp +CL 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 18 §7.2 CMOS反相器的开关特性 7.2.1 下降时间 tf计算 n out out out R V t V i = −C = d d Vout =VDD (0)