§7.2CMOS反相器的开关特性 i=-Cou out Vout (t) dt R Vou()=VDp VpD Vou(t)=VpDen=RCoM 下降时间t定义： 0 从0.9VoD到0.1Voo的时间间隔。 out 0=ln9rn≈2.2t.=tm 1 ..t=ty-tx =Tn In10-t In 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 19 §7.2CMOS反相器的开关特性 19 7.2.2上升时间t,计算 Rp Vout(t) VpD t Cout Vout( nFET off 0 Vout (0)=0V u (a)Charge circuit (b)Output waveform Figure 7.13 Rise time calculation i=Cou dvamVpp-Vam 'om(0)=0 dt Rp 2018-9-5 第7章CMOS逻辑门电子学分析 202018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 19 §7.2 CMOS反相器的开关特性 n out out out R V t V i = −C = d d Vout =VDD (0) n n out t ∴Vout t =VDDe n = R C − τ τ ( ) , 下降时间 tf定义： 从0.9VDD到0.1VDD的时间间隔。 DD n out t V V τ ln = − out DD n V V ∴t =τ ln f y x n n n n HL ∴t = t − t =τ −τ = ln 9τ ≈ 2.2τ = t 9 10 ln10 ln 2018-9-5 第7章 CMOS逻辑门电子学分析 20 §7.2 CMOS反相器的开关特性 p out DD out out R V V t V i C − = = d d Vout(0) = 0 7.2.2 上升时间 tr计算