第宄章基本咒刻工艺--从曝到最终裣验 10 硬烘焙方法 在方法和设备上与前面介绍的软烘焙相似。 烘焙工艺 时间和温度仍然是主要的工艺参数,一般是 制造商推荐,工艺工程师精确调整。对一般使用 的对流炉,温度:130~200°C,时间:30分钟 对其他方法温度和时间各不相同。热烘焙增加粘 度的机理是光刻胶的脱水和聚合,从而增加光刻 胶的耐蚀性。 烘焙温度太低,脱水和聚合不彻底,温度太 高光刻胶容易变软甚至流动(如图99所示),所 以温度的控制极为严格。 硬烘焙是在显影后立即进行,或者在刻蚀前 进行,工艺流程如图9.10所示第九章 基本光刻工艺------ 从曝光到最终检验 －10－ ◼ 硬烘焙方法 在方法和设备上与前面介绍的软烘焙相似。 ◼ 烘焙工艺 时间和温度仍然是主要的工艺参数，一般是 制造商推荐，工艺工程师精确调整。对一般使用 的对流炉，温度：130～200℃，时间：30分钟。 对其他方法温度和时间各不相同。热烘焙增加粘 度的机理是光刻胶的脱水和聚合，从而增加光刻 胶的耐蚀性。 烘焙温度太低，脱水和聚合不彻底，温度太 高光刻胶容易变软甚至流动（如图9.9所示），所 以温度的控制极为严格。 硬烘焙是在显影后立即进行，或者在刻蚀前 进行，工艺流程如图9.10 所示