加在栅极上的电压Uc用来控制开关的通断,要求Ue高电平时开关通,低 电平开关断,假设s()=2V,其值不随Us而变化,U的变化范围自 5V-+5,则要使MOS管可靠地通断,且导通时工作在非饱和区,则UG 的高电平必须大于7V,Ue低电平必须小于负3。说明如下 当υ为正值时,由于N沟道EMoS场效应管电流是自漏极流向源极,故其等 效电路如上页图B,可见即使υ增大到5V,只要υ大于7V,V仍大于开 启电压,保证管子工作在非饱和区,当U为负值时,等效电路如上页图C, 可见即使U减小到5V,只要v小于-3V,Vs仍小于开启电压,保证管子 工作在截止区 MOS管工作在非饱和区其导通电阻与Ues成反比(见教材P125公式),为了 克服这一缺点,广泛采用CMOS构成的模拟开关。即在上述N沟道EMOS 两端并接P沟道EMOS,构成互补MOS,即CMOS,总的导通电阻为两管 导通电阻的并联,如教材P127的3-3-10图,分析方法同上,请同学们自学。 2)模拟开关应用举例:模拟开关在多路选择、取样保持、调制解调、开 关电容等电路中都有大量应用,下面给出一个模拟开关应用的例子---开 关电容电路:加在栅极上的电压vG用来控制开关的通断，要求vG高电平时开关通，低 电平开关断， 假设VGS（th） = 2 V， 其值不随vUS 而变化，vI的变化范围自 -5V ---+5V，则要使MOS管可靠地通断，且导通时工作在非饱和区，则vG 的高电平必须大于7V，vG低电平必须小于负3V。说明如下： 当vI为正值时，由于N沟道EMOS场效应管电流是自漏极流向源极，故其等 效电路如上页图B，可见即使vI增大到5V，只要vG大于7V，VGD仍大于开 启电压，保证管子工作在非饱和区，当vI为负值时，等效电路如上页图C， 可见即使vI减小到5V，只要vG小于-3V，VGS仍小于开启电压，保证管子 工作在截止区。 MOS管工作在非饱和区其导通电阻与vGS成反比（见教材P125公式）, 为了 克服这一缺点，广泛采用CMOS构成的模拟开关。即在上述N沟道 EMOS 两端并接P沟道 EMOS ，构成互补MOS，即CMOS，总的导通电阻为两管 导通电阻的并联，如教材P127的3-3-10图，分析方法同上，请同学们自学。 （2）模拟开关应用举例：模拟开关在多路选择、取样保持、调制解调、开 关电容等电路中都有大量应用，下面给出一个模拟开关应用的例子------开 关电容电路：