上页图B所示电路,U=Ubs,i=i由于是耗尽型管子,在Us=0时 导电沟道仍然存在,它的伏安特性是DMOS管在Us=0时的输出特性曲 线显然它利用的是输出特性曲线构造非线性电阻。 注意直流电阻与交流电阻之不同,在图B电路中,交流电阻就是rs 此外,场效应管在非饱和区工作,且限制Ub为较小值时,场效应管可作 为阻值受VG控制的线性电阻器 利用有源电阻构成的分压器见教材P123,请同学们自学。 、利用场效应管制作的模拟开关:利用三极管和场效应管的可控开关特性, 可制作模拟开关(控制模拟信号的传送),而MOS管,由于其结构对称 制造工艺简单,是目前制作模拟开关的主要器件 (1)原理:下图A是由N沟道EMOS管作为模拟开关的示意图: UG>O RL U RL U UG<O 日上页图B所示电路，v= vDS ， i= iD 由于是耗尽型管子，在vGS =0时， 导电沟道仍然存在，它的伏安特性是DMOS管在vGS =0时的输出特性曲 线显然它利用的是输出特性曲线构造非线性电阻。 注意直流电阻与交流电阻之不同，在图B电路中，交流电阻就是 rds 此外，场效应管在非饱和区工作，且限制vDS为较小值时，场效应管可作 为阻值受VGS控制的线性电阻器。 利用有源电阻构成的分压器见教材P123，请同学们自学。 2、利用场效应管制作的模拟开关：利用三极管和场效应管的可控开关特性， 可制作模拟开关（控制模拟信号的传送），而MOS管，由于其结构对称 制造工艺简单，是目前制作模拟开关的主要器件。 （1）原理：下图A是由N沟道EMOS管作为模拟开关的示意图： vI vO VU=-5V vG RL vG>0 vG<0 RL RL vO vO iD iD