半导体材料复习资料 半导体材料概述 从电学性质上讲(主要指电阻率) 绝缘体1012-1022。.cm 半导体106-1012Q.cm 良导体≤10-69,cm 正温度系数(对电导率而言 负温度系数(对电阻率而言) 半导体材料的分类(按化学组成分类) 1)无机物半导体:元素半导体(Ge,Si);化合物半导体:二、六族,三、五族。 2)有机物半导体 能带理论(区别三者导电性) 金属中,由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的,所以金属是良好的 导体。 半导体由于禁带宽度比较小,在温度升高或有光照时,价带顶部的电子会得到能量激发 到导带中去,这样在导带中就有自由电子,在价带中就相应的缺少电子,等效为带有正电子 的空穴,电子和空穴同时参与导电,使得半导体具有一定的导电性能 般对于绝缘体,禁带宽度较大,在温度升高或有光照时,能够得到能量而跃迁到导带 的电子很少,因此绝缘体的导电性能很差 半导体结构类型: 金刚石结构(SiGe):同种元素的两套面心立方格子沿对角线平移14套构而成 闪锌矿(三、五族化合物如GaAs):两种元素的两套面心立方格子沿对角线平移1/4套构 而成 纤锌矿 对禁带宽度的影响 对于元素半导体: 同一周期,从左到右,禁带宽度增大 同一族,原子序数的增大(从上到下),禁带宽度减小 锗、硅的化学制备 硅锗的物理化学性质比较 高纯硅的制备方法 各种方法的具体步骤以及制备过程中材料的提纯 高纯储的制备方法及步骤 二、区熔提纯半导体材料复习资料 半导体材料概述： 从电学性质上讲（主要指电阻率） 绝缘体 1012—1022 Ω.cm 半导体 10-6—1012 Ω.cm 良导体≤10-6Ω.cm 正温度系数（对电导率而言） 负温度系数（对电阻率而言） 半导体材料的分类（按化学组成分类） 1）无机物半导体：元素半导体（Ge,Si）；化合物半导体：二、六族，三、五族。 2）有机物半导体 能带理论（区别三者导电性） 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以金属是良好的 导体。 半导体由于禁带宽度比较小，在温度升高或有光照时，价带顶部的电子会得到能量激发 到导带中去，这样在导带中就有自由电子，在价带中就相应的缺少电子，等效为带有正电子 的空穴，电子和空穴同时参与导电，使得半导体具有一定的导电性能。 一般对于绝缘体，禁带宽度较大，在温度升高或有光照时，能够得到能量而跃迁到导带 的电子很少，因此绝缘体的导电性能很差。 半导体结构类型： 金刚石结构（Si/Ge):同种元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4 套构而成。 闪锌矿（三、五族化合物如 GaAs)：两种元素的两套面心立方格子沿对角线平移 1/4 套构 而成 纤锌矿 对禁带宽度的影响 对于元素半导体： 同一周期，从左到右，禁带宽度增大 同一族，原子序数的增大（从上到下），禁带宽度减小。 一、锗、硅的化学制备 硅锗的物理化学性质比较 高纯硅的制备方法 各种方法的具体步骤以及制备过程中材料的提纯 高纯锗的制备方法及步骤 二、区熔提纯