5.2SEM的像衬度原理及其应用 若用二次电子产额（或称二次电子发射系 数)σ来表示每个入射的初始电子能激发出 的二次电子数目，即o=is/i。,则它们之间 的关系如图5-9所示。当入射电子能量大于 1keV时，二次电子产额o与样品倾斜角w关 系同(5-4)式： 0=i5.2 SEM的像衬度原理及其应用 若用二次电子产额（或称二次电子发射系 数）σ来表示每个入射的初始电子能激发出 的二次电子数目，即σ＝is／ip ，则它们之间 的关系如图5-9所示。当入射电子能量大于 1keV时，二次电子产额σ与样品倾斜角ψ关 系同（5-4）式： ψ σ i i s p cos 1  / 