田亚强等：两相区位错增殖对低碳贝氏体/铁素体复相钢组织和性能的影响 ·327· (a) (b) 一Ac3 Ac3 750℃，18008 750℃.1800s 一一一Ac1 5℃g1 水冷 5℃s 水冷 一一M (c) (d 一一一一一一Ac3 一一一-Ac3 750℃.1800s 750℃.1800g L 一一一Acl 5℃·8 5℃s1 5℃9 5℃s1 400℃.180s 400℃.180s 水冷 水冷 图1工艺流程图.(a)两相区保温一淬火工艺：(b)两相区形变后保温-淬火工艺：（©）两相区保温-淬火-配分一贝氏体区等温工艺：() 两相区形变后保温一淬火一配分一贝氏体区等温工艺 Fig.1 Schematic diagram of heat treatment processes:(a)1Q:(b)DIQ:(c)1Q&PB:(d)DIQ&PB 前，铁素体中位错密度较少，如图2(a):15%的压缩 割线法计算位错密度后取平均值。位错密度计算公 形变后，一定的形变量引起位错增殖、位错密度增加 式如下9-2)： 和位错交割、塞积，位错缠结呈网状密集分布，胞状 组织增多，如图2(b)所示.研究表明，高位错密度 (3) 对位错增殖具有一定的阻碍作用，当位错塞积数目 达到一定量，压缩形变带出现，原子扩散路径变窄， 式中：p为位错密度，m2;n,为位错与纵线相交的节 不利于元素扩散.一旦发生塑性变形，有利形核点 点数；n为位错与横线相交的节点数：L,为纵线的长 减少，母相强度提高，相变阻力增加的 度；L,为横线的长度；s为透镜薄膜的厚度，取 为了得到较精确的位错密度测量结果，分别在 200nm. IQ与DIQ工艺下透射照片中选取5个视场，结合图 经计算，未形变试样中位错密度约为0.290× 片标尺，通过由横线和纵线组成的网格进行长度标 10“m2,经15%的压缩形变后，位错密度约为 定，并对位错与横线和纵线的节点数进行统计，采用 1.286×104m~2,两相区形变过程中位错发生增殖， (a) b 500nm 500nm 图2热处理后试样透射电镜照片.(a)IQ工艺：(b)DIQ工艺 Fig.2 TEM images of experimental steels:(a)IQ process:(b)DIQ process田亚强等: 两相区位错增殖对低碳贝氏体/铁素体复相钢组织和性能的影响 图 1 工艺流程图． ( a) 两相区保温--淬火工艺; ( b) 两相区形变后保温--淬火工艺; ( c) 两相区保温--淬火--配分--贝氏体区等温工艺; ( d) 两相区形变后保温--淬火--配分--贝氏体区等温工艺 Fig． 1 Schematic diagram of heat treatment processes: ( a) IQ; ( b) DIQ; ( c) IQ＆PB; ( d) DIQ＆PB 前，铁素体中位错密度较少，如图 2( a) ; 15% 的压缩 形变后，一定的形变量引起位错增殖、位错密度增加 和位错交割、塞积，位错缠结呈网状密集分布，胞状 组织增多，如图 2( b) 所示． 研究表明，高位错密度 对位错增殖具有一定的阻碍作用，当位错塞积数目 达到一定量，压缩形变带出现，原子扩散路径变窄， 不利于元素扩散． 一旦发生塑性变形，有利形核点 减少，母相强度提高，相变阻力增加［15］． 图 2 热处理后试样透射电镜照片． ( a) IQ 工艺; ( b) DIQ 工艺 Fig． 2 TEM images of experimental steels: ( a) IQ process; ( b) DIQ process 为了得到较精确的位错密度测量结果，分别在 IQ 与 DIQ 工艺下透射照片中选取 5 个视场，结合图 片标尺，通过由横线和纵线组成的网格进行长度标 定，并对位错与横线和纵线的节点数进行统计，采用 割线法计算位错密度后取平均值． 位错密度计算公 式如下［19--20］: ρ = 1 ( s ∑nv ∑Lv + ∑nh ∑L ) h ( 3) 式中: ρ 为位错密度，m － 2 ; nv为位错与纵线相交的节 点数; nh为位错与横线相交的节点数; Lv为纵线的长 度; Lh 为 横 线 的 长 度; s 为透镜薄膜的厚度，取 200 nm． 经计算，未形变试样中位错密度约为 0. 290 × 1014 m － 2，经 15% 的 压 缩 形 变 后，位 错 密 度 约 为 1. 286 × 1014 m － 2，两相区形变过程中位错发生增殖， · 723 ·