)尽 p型半导体 VGO 特征: 1)表面能带 向下弯曲; EFL EE m ==EFs2)表面上的 p Ev 多子浓度比体 Om 内少得多,基 x本上耗尽,表 面带负电。1）表面能带 向下弯曲；  Qm EFm EFs Ec EvEi VG≥0 Qm Qs x 2）表面上的 多子浓度比体 内少得多，基 本上耗尽，表 面带负电