(4) G>0 特征: 1)E与EF在表面 处相交(此处为 本征型); 鞋话译E ■2)表面区的少 p 子数>多子数一 表面反型;3) Q 反型层和半导体 x内部之间还夹着 层耗尽层。 b未合n 1）Ei与EF在表面 处相交（此处为 本征型）； EFs Fm E Ei EcEv x  Qs Q m V 0 G  n2）表面区的少 子数>多子数— —表面反型；3） 反型层和半导体 内部之间还夹着 一层耗尽层