3内核电压和Wo电压的上电顺序控制(同时则不出问题) 般先内核后O,少数先o后内核供电如TMs320F2812: 18H R3 Vout高于0913则PG变低;低于089-3y变商 Vout 1 +3.3 +5U Ul FB/PG C1 42n 0.1uF OUT 10F TPs75733 0.1F GND U2 RI 3.9K GND GND 1.82 Vout FBNNO +5U +18v CUT 内核 OUT Co 0.1u TPS76801 GNDTPS75733 3.内核电压和I/O电压的上电顺序控制(同时则不出问题) 一般先内核后I/O,少数先I/O后内核供电如TMS320F2812： 11 TPS76801 Vout高于0.91*3.3V, 则PG变低; 低于0.89*3.3V, 变高 Vout +3.3V Vout +1.8V I/O 内核 PG EN