第四章逻辑设计技术 第一节MS管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的,β值越大,其驱动能力越强。单个管子 是如此,对于多个管子的串、并情况下,其等效导电因子应如何推导?下面我们来具体分析 两管串联 设:V相同,工作在线性区。 IDSI=BI(VG-VT-VM--(VG D IDS2=B2CG-VT-VS)(VG-VT-VM) (G-VT-VM BI+p VG-Vr-VS (G-VT-VD) B1+B2 将上式代入(1)得: VG-VT-v VG-VT-v B1+k 由等效管得 比较(3)(4)得 IDS= BefrIOG-VT-V eff (G-VT-V B e B1+B2 同理可推出N个管子串联使用时,其等效增益因子为: e ≌1 V第四章 逻辑设计技术 第一节 MOS 管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的，β值越大，其驱动能力越强。单个管子 是如此，对于多个管子的串、并情况下，其等效导电因子应如何推导？下面我们来具体分析 一下： 一、 两管串联： 设：Vt 相同，工作在线性区。 将上式代入（1）得： 由等效管得： 比较（3）（4）得： 同理可推出 N 个管子串联使用时，其等效增益因子为： ( ) (VG VT VD) (1) 2 VG VT VM 2 β1 I 1 − − − − − −       DS = − − − − − ( ) ( ) (2) 2 2 2 2 − − − − − −       I DS =  V G −V T −V S − V G −VT −V M ( ) ( ) (V G V T V D) β β β V G V T V S β β β V G V T V M I D S I D S − − + − − + +  − − = = 2 1 2 2 1 1 2 2 2  1 2 ( ) ( ) ] (3) 2 2 [ 1 2 2 1 − − − − − − − − − − + I DS = V G V T V S V G V T V D    ( ) ( ) ] (4) 2 2 = [ − − − −V −V D − − − − − − I DS  eff V G VT V S V G T     1 2 2 + = eff  = = N i βi βeff 1 1 1 Vd Vs Ids βeff Vg T1 β1 T2 β2 Vs Vd Vg Vm