(2)求出反射波电场表达式。 解：(1)入射波磁场的方向如图21-1所示。 。据方向 作指为向 理想导体 理想导体 区域1区域2 区域1 区域2 图2 图21-1 (2)设反射波电场 E,=e,Eell 区域1中的总电场为 E+E =e(Eoe-i+Ee) (2分) 根据：=0导体表面电场的切向分量等于零的边界条件得 E.=-E。 (2分) 因此，设反射波电场为 E,=-e,Eoeln (1分) 《电磁场与电磁波》试题(5)参考答案 二、简述题（每小题5分，共20分） 11.答：高斯通量定理是指从封闭面发出的总电通量数值上等于包含在该封闭面内的净正电 荷。(3分) 其积分形式和微分形式的表达式分别为： [y.Ddv=[pdv V.D=Pr (2分) 12。答：变化的电场产生磁场： 变化的磁场产生电场：(3分 19 （2）求出反射波电场表达式。 解：（1）入射波磁场的方向如图 21-1 所示。 （2）设反射波电场 j z r y r E e E e  = ˆ  区域 1 中的总电场为 ˆ ( ) 0 j z r j z r y E E e E e E e   + = + −   （2 分） 根据 z = 0 导体表面电场的切向分量等于零的边界条件得 Er = −E0 （2 分） 因此，设反射波电场为 j z r y E e E e  0 = −ˆ  （1 分） 《电磁场与电磁波》试题（5）参考答案 二、简述题 （每小题 5 分，共 20 分） 11．答：高斯通量定理是指从封闭面发出的总电通量数值上等于包含在该封闭面内的净正电 荷。（3 分） 其积分形式和微分形式的表达式分别为：    = V V V DdV  dV =  V  D （2 分） 12．答：变化的电场产生磁场； 变化的磁场产生电场；（3 分） 图 2 图 21-1 H 