一、集成器件及模型 ·1、集成双极器件 ·同一块芯片上，同一衬底上的器件是相互隔离的。 (1)PN结隔离 (2)介质隔离 10从m N(102cm3) p.(2X10cm3) 200从m P型扩散 SiO2 P型扩散 双极器件衬底 P+ N型岛 N P+ 采用PN结隔离的 独立N型岛• 1、集成双极器件 • 同一块芯片上，同一衬底上的器件是相互隔离的。 • （1）PN结隔离 • （2）介质隔离 采用PN结隔离的 独立N型岛 双极器件衬底