横向PNP晶体管 B Q N N P ·2、集成MOS器件 为了在CMOS应用中，能同时将p沟道与n沟道MOSFET 制作在同一片芯片上，需要将两管隔离. 采用一额外的掺杂及扩散步骤在衬底中形成阱并施以反 偏电压可起到隔离作用.阱中的掺杂种类与周围衬底不 同.阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱横向PNP晶体管 • 2、集成MOS器件 为了在CMOS 应用中,能同时将p 沟道与n沟道MOSFET 制作在同一片芯片上,需要将两管隔离. 采用一额外的掺杂及扩散步骤在衬底中形成阱并施以反 偏电压可起到隔离作用.阱中的掺杂种类与周围衬底不 同. 阱的典型种类有p 阱、n 阱以及双阱