CMOSp阱工艺 CM0S是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来。 由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属（铝）栅与衬 底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件 下，制备低阈值电压（绝对值）的PMOS器件和增强型 NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制 备PMOS器件，采用较高参杂浓度扩散的p阱做NMOS器 件，在当时成为最佳的工艺组合。 in VpD Gnd p-well n-substrateCMOSp阱工艺 CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年 发展起来。 由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬 底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件 下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型 NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制 备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器 件，在当时成为最佳的工艺组合