n阱CMOS工艺 n阱CMOS工艺采用p型衬底材料制备NMOS器件，采 用离子注入形成的n阱制备PMOS器件，采用沟道离子 注入调整两种沟道器件的阈值电压。 制备在轻掺杂衬底上的NMOS保持了高的电子迁移率， 低的体效应系数，低的+结的寄生电容，降低了漏结 势垒区的电场强度，从而降低了电子碰撞电离所产生 的电流等。这个优点对动态CMOS电路，如时钟CMOS 电路，多米诺电路等的性能改进尤其明显。 Gnd n-well p-substraten阱CMOS工艺 n阱CMOS工艺采用p型衬底材料制备NMOS器件，采 用离子注入形成的n阱制备PMOS器件，采用沟道离子 注入调整两种沟道器件的阈值电压。 制备在轻掺杂衬底上的NMOS保持了高的电子迁移率， 低的体效应系数，低的n+结的寄生电容，降低了漏结 势垒区的电场强度，从而降低了电子碰撞电离所产生 的电流等。这个优点对动态CMOS电路，如时钟CMOS 电路，多米诺电路等的性能改进尤其明显