削弱了晶体间的黏结，此时已无明显的柱状晶体结构（图9(）)，推测为高温作用下的HPG在制浆前已形 成部分PG结构，在制浆搅拌过程中，受到剪切作用使提前形成的微结构破坏，致微观图无法出现粗大柱 状晶体结构。另一方面，二水石膏在水中的溶解度为2.04gL,一部分二水石膏晶体遇水后溶解，钝化二 水石膏晶体边界，削弱了晶体之间的连接力，导致晶体结构细小2四。 (a) JEOL 50y 2000 10n E 50 X2000 WD80mm 图9不同堆存温度下CM微观结构图.(a)20℃，(b)40℃，(c)60℃，(d)80℃ Fig.9 HCM microstructure of different storage temperatures.(a)20C(b)40C;(c)60C;(d)80C 探究上述微观分析结果父容液过饱和度方面进行考虑。堆存温度作用下，将提高体系的过饱和 度，较高的过饱和度是平水石膏凝结硬化的必要条件，因此过饱和度是影响水化产物晶体成核和生长 的重要因素。在溶解桥晶理论中，晶体的形成，由临界半径控制其生成速率2。 20v (4) = kTlogS 式中：o一单位面积的表面能：v一-分子体积：k一Boltzmann常数：T一温度：S一过饱和度。 从式(4)可知，过饱和度S增高将使r减小，从而使成核结晶速率加快。诱导期时，溶液中Ca*和SO2 结合，开始逐渐形成二水石膏晶核，当其半径达到时，二水石膏开始结晶析出，若堆存温度较高时，过 饱和度增高，[。减小，促使PG较早的生成和结晶，导致PG发育不完全，晶体颗粒较小，符合图9所示结 果。此时体系中饱和度下降，HPG将继续水化，如此反复，待高温堆存36h后制备HCM,体系中仅有少 量未转化的半水石膏，致使宏观HCM试块强度较低。HPG水化反应可细化为232：HPG和改性剂加水拌和 后，半水石膏会在水中的溶解（图10(）)，在改性剂作用下，体系由酸性变为碱性溶液，促进二水石膏的 生成，同时将HPG体系中影响结晶的P、F以固结沉淀形式消除。当溶液二水石音达到过饱和状态时，体系削弱了晶体间的黏结，此时已无明显的柱状晶体结构（图 9(d)），推测为高温作用下的 HPG 在制浆前已形 成部分 PG 结构，在制浆搅拌过程中，受到剪切作用使提前形成的微结构破坏，致微观图无法出现粗大柱 状晶体结构。另一方面，二水石膏在水中的溶解度为 2.04 g·L-1，一部分二水石膏晶体遇水后溶解，钝化二 水石膏晶体边界，削弱了晶体之间的连接力，导致晶体结构细小[20]。 图 9 不同堆存温度下 HCM 微观结构图. (a) 20 ; (b) 40 ; (c) 60 ; (d) 80 ℃ ℃ ℃ ℃ Fig.9 HCM microstructure of different storage temperatures. (a) 20 ; (b) 40 ; (c) 60 ; (d) 80 ℃ ℃ ℃ ℃ 探究上述微观分析结果，从溶液过饱和度方面进行考虑。堆存温度作用下，将提高体系的过饱和 度，较高的过饱和度是半水石膏凝结硬化的必要条件，因此过饱和度是影响水化产物晶体成核和生长 的重要因素[21]。在溶解析晶理论中，晶体的形成，由临界半径 rc控制其生成速率[22]。 c 2 = log  r kT S （4） 式中：σ—单位面积的表面能；ν—分子体积；k—Boltzmann 常数；T—温度；S—过饱和度。 从式(4)可知，过饱和度 S 增高将使 rc减小，从而使成核结晶速率加快。诱导期时，溶液中 Ca2+和 SO4 2- 结合，开始逐渐形成二水石膏晶核，当其半径达到 rc时，二水石膏开始结晶析出，若堆存温度较高时，过 饱和度增高，rc减小，促使 PG 较早的生成和结晶，导致 PG 发育不完全，晶体颗粒较小，符合图 9 所示结 果。此时体系中饱和度下降，HPG 将继续水化，如此反复，待高温堆存 36 h 后制备 HCM，体系中仅有少 量未转化的半水石膏，致使宏观 HCM 试块强度较低。HPG 水化反应可细化为[23-25]：HPG 和改性剂加水拌和 后，半水石膏会在水中的溶解（图 10(a)），在改性剂作用下，体系由酸性变为碱性溶液，促进二水石膏的 生成，同时将 HPG 体系中影响结晶的 P、F 以固结沉淀形式消除。当溶液二水石膏达到过饱和状态时，体系 录用稿件，非最终出版稿