第7期 Jian Hongyan et al.Patterned Dual pn Junctions Restraining Substrate Loss of... 1333 isolation for RF integrated inductors on silicon.Chinese Jour- crow Theory Techn.2004,52(5):1375 nal of Semiconductors.2001.22(12):1486 [10]Maget J.PhD Dissertation.University of Bundeswehr.Neu- [9]Chang C A.Tseng S P.Yi J C,et al.Characterization of spiral biberg.Germany.2002 inductors with patterned floating structures.IEEE Trans Mi- 放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗* 营洪彦唐珏唐长文何捷闵昊 (复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海200433) 摘要：使用标准CMOS工艺，在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结，将此结放在电感的底 部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直p结耗尽层的厚度，而是最低层的pn 结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏敲电感到衬底电场，水平和垂直p结耗尽层厚度随着pm结反向偏压升高 改变村底有效的高阻区厚度，电感品质因数跟随高阻区厚度升降，有效地证明了p结衬底隔离可以降低电感的村 底电流造成的损耗 关键词：片上电感；放射状双p结；涡流；衬底损耗 EEACC:2140:2530B:2550F 中图分类号：TM55 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2005)07-1328-06 *上海市科委（批准号：037062019）及上海应用材料研究生发展基金（批准号：0425）资助项目 营洪彦男，博士研究生，研究方向包括片上电感和片上天线的优化设计，射频电路设计，例如低噪声放大器、混频器和压控振荡器等以及射 频识别天线设计.Email:hyjian@fudan.edu.cm 2004-12-09收到，2005-01-24定稿 ©2005中国电子学会第M期 Y$&)8()36&)*M#8T! +&’’;.);,U2&#")Y2)%’$()7P;7’.&$)$)312G7’.&’;?(77(*" $7(#&’$()*(.PF$)’;3.&’;,$),2%’(.7()7$#$%()c54$);7;Y(2.[ )&#(*1;0$%(),2%’(.7#BWWA#BB$AB%!AXC_ &S’ 54&)35!#Q7;)31+#9$Y5#;’&#c54&.&%’;.$:&’$()(*7"$.&# $),2%’(.7T$’4"&’’;.);,*#(&’$)37’.2%’2.;7cJEEEQ.&)7D$[ %.(TQ4;(.6Q;%4)#BWWX#VB$V%!AZMV &AW’ D&3;’Yc+4U U$77;.’&’$()cb)$O;.7$’6(*I2),;7T;4.#N;2[ G$G;.3#=;.0&)6#BWWB 放射状双DH结抑制片上电感衬底损耗# 菅洪彦 唐 珏 唐长文 何 捷 闵 昊 $复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室#上海 BWWXZZ% 摘要!使用标准 5DR1工艺#在放射状的)阱上面扩散"k #使垂直和水平方向形成双")结#将此结放在电感的底 部用来抑制衬底损耗c提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直")结耗尽层的厚度#而是最低层的") 结的深度c首次通过接地的"k 扩散层屏蔽电感到衬底电场#水平和垂直")结耗尽层厚度随着")结反向偏压升高 改变衬底有效的高阻区厚度#电感品质因数跟随高阻区厚度升降#有效地证明了")结衬底隔离可以降低电感的衬 底电流造成的损耗c 关键词!片上电感(放射状双")结(涡流(衬底损耗 **"00!BAXW(BVZWI(BVVWF 中图分类号!QDVV 文献标识码!! 文章编号!WBVZ[XAMM"BWWV#WM[AZBC[W_ #上海市科委$批准号!WZMW_BWAS%及上海应用材料研究生发展基金$批准号!WXBV%资助项目 菅洪彦 男#博士研究生#研究方向包括片上电感和片上天线的优化设计#射频电路设计#例如低噪声放大器)混频器和压控振荡器等以及射 频识别天线设计cE0&$#!46@$&)"*2,&)c;,2c%) BWWX[AB[WS收到#BWWV[WA[BX定稿 #BWWV 中国电子学会 AZZZ