Logic signals Logic Families ◆ Positive logic ◆cMos 1 denotes High and 0 denotes Low Complementary Metal-Oxide Semiconductor Negative logic TT Not often used assignment, 1 to Low and 0 to e Transistor-Transistor Logic ◆CMoS逻辑系列首先被发明,后来又出现T∏L逻 o Combinational circuit ( sequential circuit 辑系列,由于工作速率高而受到重用 O A logic circuit whose outputs depend only on its 20世纪90年代后,TTL系列基本被CMOS取代 current inputs ●局面改变动因在于cMOS半导体技术的发展潜力远远 优于双极技术的发展潜力 ●TTL逻辑电路目前在实验室还经常见到 场效应管 场效应管 ◆ MOSFET(MoS晶体管) ◆NMoS O Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect ON-channel MoS transistor ◆场效应管的夹断区 ●输入阻抗高 ◆PMos source Note. normally. Vos 20 ●功耗特小 P-channel Mos transistor ●偏置电路简单 ●驱动能力弱 绝蟓柵型 MOSFET原覆 N- Channel MosFet輪出特性曲幾 丰丰丰 不同 NE+N ◆N沟道增强型 ●播极正偏时,增加漏极电压vos 用电场来控制电流→等效为压控电流源 vDV新,沟道在D一侧开始夹斷 ◆不同 MOSFET的静态工作点不同 ●此后增加V不能改变Iso; Ien ocV1 Logic signals ‹ Positive logic z 1 denotes High and 0 denotes Low ‹ Negative logic z Not often used assignment, 1 to Low and 0 to High ‹ Combinational circuit ÅÆ sequential circuit z A logic circuit whose outputs depend only on its current inputs Logic Families ‹ CMOS z Complementary Metal-Oxide Semiconductor ‹ TTL z Transistor-Transistor Logic ‹ CMOS逻辑系列首先被发明，后来又出现TTL逻 辑系列，由于工作速率高而受到重用 ‹ 20世纪90年代后，TTL系列基本被CMOS取代 z 局面改变动因在于CMOS半导体技术的发展潜力远远 优于双极技术的发展潜力 z TTL逻辑电路目前在实验室还经常见到 场效应管 ‹ MOSFET(MOS晶体管) zMetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor ‹ 场效应管的夹断区 z输入阻抗高 z功耗特小 z偏置电路简单 z驱动能力弱 场效应管 ‹ NMOS zN-channel MOS transistor ‹ PMOS zP-channel MOS transistor 绝缘栅型MOSFET原理 ‹ N沟道增强型 z栅极正偏时，增加漏极电压 VDS zVDG<V断，沟道在D一侧开始夹断 z此后增加VD不能改变ISD：ISD∝VGS P N N S G D N-Channel MOSFET输出特性曲线 ‹ 用电场来控制电流Æ 等效为压控电流源 ‹ 不同MOSFET的静态工作点不同 VDS IDS 不同 VGS