·636* 北京科技大学学报 第36卷 近8.0. 在0°方向上的塑性应变比。增加，对材料的深冲 从图3中可以看出，在再结晶过程中，取向 性能有非常不利的影响.因此在高温连续退火过 线上r-Cube({001}110)到{112}(110之间的 程中，要对薄板温度的演变过程进行精确的控制， 织构强度均降低，y取向线上{111}〈110和 避免不利组织和织构的生成 {[111}〈112取向强度则先增加后降低并逐渐稳 2.3再结晶织构演变的定量分析 定在6.0左右，比冷轧态时的强度略高.同时发 通过对比800℃保温10min、825℃保温5min 现，在材料己经完全再结晶的情况下继续保温会 以及850℃保温34s时薄板的0DF图（见图3）可 造成α取向线上部分织构强度重新增强的现象， 知，在不同退火温度下发生完全再结晶后材料内部 这主要是由于晶粒长大过程中不同取向角度的晶 的织构有所不同.为了定量分析退火温度对再结晶 界不均匀移动而引起的.具体如图3(c)所示，当 织构的影响，本文利用Textools软件分别计算了 温度为850℃时，材料在34s时己经完成再结晶， 800、825和850℃的温度下，材料内部{100}、 在随后的持续保温过程中会造成α取向线上r- {111}、{112}<110和随机取向晶粒的体积分数随 Cube等织构强度的增加，该织构会造成薄板材料 保温时间的变化，具体见图4 26 (a) =1100 =11001 24 260 ·11124(110 24 ·1112110 3 4(111 22 4111月 20 Random 30 Random 18 空16 16 14 14 12, 12 10 10 10 10 10 10 10 101 10 保温时间 保温时间s 26 ) 。1100 24 。(112)(110 3 4i1) Random 20 16 14 12 10H 10 10 10 保温时间⅓ 图4退火温度分别为800℃(a)825℃(b)和850℃(c)时关键织构的体积分数随退火时间的变化规律((b)和(c)中不连续现象是由于再 结晶完成后的品粒长大现象造成的) Fig.4 Variation of texture volume fraction with annealing time at 800C (a),825 C (b)and 850C (c)(discontinuities of curves in Fig.(b)and Fig.(e)are attributed to grain growth following recrystallization) 从整体来看，在不出现晶粒长大的情况下，随着 核长大速率比其他取向的晶粒快，造成随机取向织 再结晶的进行，{111}型面织构的体积分数降低，并 构的体积分数增加.在再结晶过程中{112}〈110 逐渐稳定在某一固定值，这主要是由于{111}周围 取向晶粒因为部分被优先形成的(111}〈112取向 的取向晶粒逐渐向随机取向移动而造成的同.随着 品粒吞噬，所以其体积分数有所降低 再结晶的进行，{100}面取向晶粒的体积分数有所 从图4(b)可知，当薄板试样在825℃保温 增加，但是增加幅度很小(1%~2%左右).与此同 10min时，各织构的体积分数又重新发生变化并偏 时，随机取向晶粒的体积分数则有较大程度的增加， 离稳定值.其中，{100}、{112}<110和随机取向织 这是由于随机取向晶粒之间的晶界角度大，晶界迁 构的体积分数有所增加，而{111}面织构的体积分 移速率M较大，所以在再结晶过程中随机取向的品 数则有所降低，在850℃下保温5min时也有相类似北 京 科 技 大 学 学 报 第 36 卷 近 8. 0． 从图 3 中可以看出，在再结晶过程中，α 取向 线上 r-Cube ( { 001} ?110? ) 到{ 112} ?110? 之间的 织构 强 度 均 降 低，γ 取 向 线 上 { 111 } ? 110? 和 { 111} ? 112? 取向强度则先增加后降低并逐渐稳 定在 6. 0 左右，比冷轧态时的强度略高． 同时发 现，在材料已经完全再结晶的情况下继续保温会 造成 α 取向线上部分织构强度重新增强的现象， 这主要是由于晶粒长大过程中不同取向角度的晶 界不均匀移动而引起的． 具体如图 3 ( c) 所示，当 温度为 850 ℃ 时，材料在 34 s 时已经完成再结晶， 在随后的持续保温过程中会造成 α 取向线上 r￾Cube 等织构强度的增加，该织构会造成薄板材料 在 0°方向上的塑性应变比 r0增加，对材料的深冲 性能有非常不利的影响． 因此在高温连续退火过 程中，要对薄板温度的演变过程进行精确的控制， 避免不利组织和织构的生成． 2. 3 再结晶织构演变的定量分析 通过对比 800 ℃ 保温 10 min、825 ℃ 保温 5 min 以及 850 ℃ 保温 34 s 时薄板的 ODF 图( 见图 3) 可 知，在不同退火温度下发生完全再结晶后材料内部 的织构有所不同． 为了定量分析退火温度对再结晶 织构 的 影 响，本 文 利 用 Textools 软 件 分 别 计 算 了 800、825 和 850 ℃ 的 温 度 下，材 料 内 部 { 100 } 、 { 111} 、{ 112} ?110? 和随机取向晶粒的体积分数随 保温时间的变化，具体见图 4． 图4 退火温度分别为 800 ℃ ( a) 、825 ℃ ( b) 和850 ℃ ( c) 时关键织构的体积分数随退火时间的变化规律( ( b) 和( c) 中不连续现象是由于再 结晶完成后的晶粒长大现象造成的) Fig． 4 Variation of texture volume fraction with annealing time at 800 ℃ ( a) ，825 ℃ ( b) and 850 ℃ ( c) ( discontinuities of curves in Fig． ( b) and Fig． ( c) are attributed to grain growth following recrystallization) 从整体来看，在不出现晶粒长大的情况下，随着 再结晶的进行，{ 111} 型面织构的体积分数降低，并 逐渐稳定在某一固定值，这主要是由于{ 111} 周围 的取向晶粒逐渐向随机取向移动而造成的［3］． 随着 再结晶的进行，{ 100} 面取向晶粒的体积分数有所 增加，但是增加幅度很小( 1% ～ 2% 左右) ． 与此同 时，随机取向晶粒的体积分数则有较大程度的增加， 这是由于随机取向晶粒之间的晶界角度大，晶界迁 移速率 M 较大，所以在再结晶过程中随机取向的晶 核长大速率比其他取向的晶粒快，造成随机取向织 构的体积分数增加． 在再结晶过程中{ 112} ?110? 取向晶粒因为部分被优先形成的{ 111} ?112? 取向 晶粒吞噬，所以其体积分数有所降低． 从图 4 ( b) 可 知，当 薄 板 试 样 在 825 ℃ 保 温 10 min时，各织构的体积分数又重新发生变化并偏 离稳定值． 其中，{ 100} 、{ 112} ?110? 和随机取向织 构的体积分数有所增加，而{ 111} 面织构的体积分 数则有所降低，在 850 ℃下保温 5 min 时也有相类似 · 636 ·