废气:3、hcl 掩膜制作]曝光}「显影 蚀刻 剥膜 自动光检 废水:pH、c0 废水:p、CD废水:pH、铜废水:pH、C0D 线路制作流程 图2-2电子电路制造典型生产工艺流程和产污环节 表2-4电子电路制造产污环节分析列表 工艺环节 废水主要污染物 废气主要污染物 化学清洗用酸和微蚀剂清洗去除铜箔表面的氧化层 pH,铜 HCl, H2SOA 内层氧化|用强氧化剂将铜治表面氧化(租化,增加后续层1 H,铜 HCl, H2SO4 减薄蚀刻用酸性蚀刻液减少铜箔厚度 pH,铜 用强氧化剂在铜箔表面产生一层黑色氧化铜,有 黑化利于后续激光钻孔工序(黑色表面能吸收更多激 pH,铜,磷 光能量)。 钻孔 包括机械钻孔和激光钻孔 粉尘 去黑化|激光钻孔后去除表面黑色氧化层 pH,铜 HCI 包括孔壁镀铜,板面镀铜和填孔镀铜等,由化学 镀铜镀预处理将树脂表面沉积一层金属铜,然后用电p 氟化物, H2SO4 镀工艺加厚 CODCr 掩模制作用溴化银感光底片制作曝光掩模 pH,CODc,银 显影 用碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除,暴露需蚀刻 的铜表面 pH, CODcr 蚀刻 用碱性或酸性蚀刻剂(氨铜或氯化铜)将暴露的 H,铜,氨 HCl 剥膜将覆盖铜表面的蚀刻掩模去除 H, COdcr 无 防焊用油墨将无需导电的区域保护起来 pH,铜, CODCr VOCs 废水:pH,CODc 表面处理将外表面处理成需要的金属表面,如金、银等铜,镍,银,磷,氰 H2SO4,HCl,氮氧 化物,氨氮,总氮 化物 外型形成通过切割将产品成型 粉尘 有机涂概将裸的辆表面涂上特殊有机保护层,防止表面|p CODCr HCl, VOCs 243电子专用材料 电子专用材料是指具有特定要求且只用于电子产品的材料。根据其作用与用途,可分为电子功能 材料、互联与封装材料、工艺与辅助材料。本标准对专用于电子工业领域的电子材料的产污环节进行 归纳分析,如表25所示11 掩膜制作 曝光 显影 蚀刻 剥膜 自动光检 线路制作流程 废气：NH3、HCl 废水：pH、COD 废水：pH、铜 废水：pH、CO D、Ag 废水：pH、COD 图 2-2 电子电路制造典型生产工艺流程和产污环节 表 2-4 电子电路制造产污环节分析列表 工艺环节 描述 废水主要污染物 废气主要污染物 化学清洗 用酸和微蚀剂清洗去除铜箔表面的氧化层 pH，铜 HCl，H2SO4 内层氧化 用强氧化剂将铜箔表面氧化（粗化），增加后续层 压工序的结合力。 pH，铜 HCl，H2SO4 减薄蚀刻 用酸性蚀刻液减少铜箔厚度 pH，铜 HCl 黑化 用强氧化剂在铜箔表面产生一层黑色氧化铜，有 利于后续激光钻孔工序（黑色表面能吸收更多激 光能量）。 pH，铜，磷 HCl 钻孔 包括机械钻孔和激光钻孔 无 粉尘 去黑化 激光钻孔后去除表面黑色氧化层 pH，铜 HCl 镀铜 包括孔壁镀铜，板面镀铜和填孔镀铜等，由化学 镀预处理将树脂表面沉积一层金属铜，然后用电 镀工艺加厚。 pH，铜，氟化物， CODCr H2SO4 掩模制作 用溴化银感光底片制作曝光掩模 pH，CODCr，银 无 显影 用碳酸钠将未曝光的蚀刻掩模去除，暴露需蚀刻 的铜表面 pH，CODCr 无 蚀刻 用碱性或酸性蚀刻剂（氨铜或氯化铜）将暴露的 铜表面去除 pH，铜，氨 HCl 剥膜 将覆盖铜表面的蚀刻掩模去除 pH，CODCr 无 防焊 用油墨将无需导电的区域保护起来 pH，铜，CODCr VOCs 表面处理 将外表面处理成需要的金属表面，如金、银等 废水：pH，CODCr， 铜，镍，银，磷，氰 化物，氨氮，总氮 H2SO4，HCl，氮氧 化物 外型形成 通过切割将产品成型 无 粉尘 有机涂覆 将裸露的铜表面涂上特殊有机保护层，防止表面 氧化 pH，铜，CODCr HCl，VOCs 2.4.3电子专用材料 电子专用材料是指具有特定要求且只用于电子产品的材料。根据其作用与用途，可分为电子功能 材料、互联与封装材料、工艺与辅助材料。本标准对专用于电子工业领域的电子材料的产污环节进行 归纳分析，如表 2-5 所示