CMOs制作步骤 1.双井工艺 2.浅槽隔离工艺 Passivation layer 3.多晶硅栅结构工艺 4.轻掺杂漏(LDD)注入工艺 ILD-5 8M4 5.侧墙的形成 ILD-4 6.源漏(S/D)注入工艺 88 888 7.接触孔的形成 M28 父22 8.局部互连工艺 ILD-2 9.通孔1和金属塞1的形成 交交交交交 ILD-1 10.金属1互连的形成 1.通孔2和金属2的形成 团k 12.金属2互连的形成 n-well 13.制作金属3、压点及合金 Epitaxial lay 14.参数测试 p* Silicon substrate 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 1. 双井工艺 2. 浅槽隔离工艺 3. 多晶硅栅结构工艺 4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺 5. 侧墙的形成 6. 源/漏（S/D）注入工艺 7. 接触孔的形成 8. 局部互连工艺 9. 通孔1和金属塞1的形成 10. 金属1互连的形成 11. 通孔2和金属2的形成 12. 金属2互连的形成 13. 制作金属3、压点及合金 14. 参数测试 Passivation layer Bonding pad metal p + Silicon substrate LI oxide STI n-well p-well ILD-1 ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 Poly gate p - Epitaxial layer p + ILD-6 LI metal Via p + p + n + n + n + 2 3 1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 CMOS 制作步骤