双井工艺 n-well Formation 1)外延生长 2)厚氧化生长保护外延层免受污染;阻止了在注 入过程中对硅片的过渡损伤;作为氧化物屏蔽层,有助 于控制注入过程中杂质的注入深度。 3)第一层掩膜 4)n井注入(高能) 5)退火 Phosphorus implant Thin Films ( Photoresist -Diffusion Photo Etch Oxide an-well . um Implant ①p- Epitaxial layer p+ Silicon substrate (Dia= 200 mm,-2 mm thick) 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 Figure 9. 8 by michael Quirk and Julian Serda半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 一、双井工艺 n-well Formation 1）外延生长 2）厚氧化生长 保护外延层免受污染；阻止了在注 入过程中对硅片的过渡损伤；作为氧化物屏蔽层，有助 于控制注入过程中杂质的注入深度。 3）第一层掩膜 4）n井注入（高能） 5）退火 3 1 2 Photo Implant Diffusion 4 Polish Etch 5 Thin Films ~5 um (Dia = 200 mm, ~2 mm thick) Photoresist Phosphorus implant 3 1 2 p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer Oxide 5 4 n-well Figure 9.8