等离子体辅助化学气相沉积( PECVD) 在CVD过程中,利用等离子体对沉积过程施加 影响的技术被称为等离子体辅助化学气相沉积 技术 ■从此意乂上讲,一般的CVD技术依赖于相对较 高的温度,因而可被称为热CVD技术 在 PECVD装置中,气体的压力多处于易于维 持大面积等离子体的5~500Pa的范围,放电类 型属辉光放电,等离子体密度约109~1012个 /cm3,而电子温度约1~10eV等离子体辅助化学气相沉积（PECVD) ◼ 在CVD过程中，利用等离子体对沉积过程施加 影响的技术被称为等离子体辅助化学气相沉积 技术 ◼ 从此意义上讲，一般的CVD技术依赖于相对较 高的温度，因而可被称为热CVD技术 ◼ 在PECVD装置中，气体的压力多处于易于维 持大面积等离子体的5500Pa的范围，放电类 型属辉光放电，等离子体密度约1091012个 /cm3 ，而电子温度约110eV