IC平面工艺 核心:在半导体材料表面生长一层氧化层,再 采用光刻在SO2层上刻出窗口,利用SO2对杂 质的掩蔽特性,实现Si中的选择性掺杂,形成所 需元器件;然后利用金属互连技术将所有元器 件按照要求连接,实现完成功能的集成电路; 隔离和互连是当今工艺技术的两大难题; 发展趋势:实现低温(或高温快速化)处理、 平面化加工、干法、低损伤刻蚀,及低缺陷密 度(提高成品率)的控制。 zhang@fudan.edu.cn复旦大学张荣君rjzhang@fudan.edu.cn 复旦大学 张荣君 IC平面工艺 • 核心：在半导体材料表面生长一层氧化层，再 采用光刻在SiO2层上刻出窗口，利用SiO2对杂 质的掩蔽特性，实现Si中的选择性掺杂，形成所 需元器件；然后利用金属互连技术将所有元器 件按照要求连接，实现完成功能的集成电路； • 隔离和互连是当今工艺技术的两大难题； • 发展趋势：实现低温（或高温快速化）处理、 平面化加工、干法、低损伤刻蚀，及低缺陷密 度（提高成品率）的控制